SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S16800E-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI -
RFQ
ECAD 3322 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR -
RFQ
ECAD 4971 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 2.2094
RFQ
ECAD 3603 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SRAM - Синронн 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 3000 45 мг Nestabilnый 2 марта 15 млн Шram 256K x 8 SPI - Quad I/O, SDI -
IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 12.6597
RFQ
ECAD 1555 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS43DR82560B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-25EBL-TR -
RFQ
ECAD 2644 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-tWBGA (10,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 с Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43QR81024A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL 17.6469
RFQ
ECAD 1524 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR81024A-083TBL 136 1,2 -е Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS42S16800E-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBL -
RFQ
ECAD 3183 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61NVF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5b3i-tr -
RFQ
ECAD 7255 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS22ES08G-JCLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22ES08G-JCLA1 -
RFQ
ECAD 5606 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS22ES08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS22ES08G-JCLA1 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 EMMC -
IS43TR16640CL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-125JBLI 4.5200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640CL-125JBLI Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS25LP016D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE -
RFQ
ECAD 9383 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP016D-JMLE Ear99 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25LP016D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE-TR 0,9124
RFQ
ECAD 4201 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP016D-JMLE-TR Ear99 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS43TR16128BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-107MBLI -
RFQ
ECAD 6554 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128BL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43TR16128B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBLI -
RFQ
ECAD 6579 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128B-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43TR85120AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBL -
RFQ
ECAD 6473 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (9x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR85120AL-107MBL Ear99 8542.32.0036 220 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS43TR81280CL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBLI-TR 3.5251
RFQ
ECAD 8781 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR81280CL-125JBLI-TR Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS46TR16128DL-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA25-TR -
RFQ
ECAD 4545 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16128DL-125KBLA25-TR Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS46TR82560DL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560DL-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 6321 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR82560DL-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43TR16256B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBL -
RFQ
ECAD 3183 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16256B-093NBL Ear99 8542.32.0036 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46TR16640BL-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA25 -
RFQ
ECAD 8026 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640BL-125JBLA25 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR85120A-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI-TR -
RFQ
ECAD 3001 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (9x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR85120A-093NBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS46TR16640C-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA1-TR 3.5630
RFQ
ECAD 2513 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640C-125JBLA1-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16640C-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA2 4.2112
RFQ
ECAD 5328 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640C-125JBLA2 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR85120BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBL-TR -
RFQ
ECAD 1863 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR85120BL-107MBL-TR Ear99 8542.32.0036 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS43TR85120BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBLI-TR 7.9135
RFQ
ECAD 9478 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR85120BL-125KBLI-TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS43LD16256A-18BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-18BPLI -
RFQ
ECAD 1467 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD16256A-18BPLI Управо 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 256 м x 16 HSUL_12 15NS
IS25LQ010B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JVLE -
RFQ
ECAD 8513 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ010B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 1 март 8 млн В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS21TF16G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JQLI-TR 24,9000
RFQ
ECAD 2699 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga IS21TF16G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF16G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 MMC -
IS25WX256-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLE 5.4400
RFQ
ECAD 474 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX256 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX256-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25WJ032F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JBLE 1.0600
RFQ
ECAD 365 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WJ032F Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WJ032F-JBLE 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,6 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе