SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S32200E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7006 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S32800G-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BI-TR -
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43TR16128AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-15HBLI -
RFQ
 ECAD 9970 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LQ512B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JULE -
RFQ
 ECAD 6563 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ512B-JULETR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 512 8 млн В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS61NVF51236B-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5TQL-TR 14.5708
RFQ
 ECAD 6141 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS49NLS96400A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-18WBLI 57.2059
RFQ
 ECAD 6951 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS96400A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS61WV5128BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10BLI 4.2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS61WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS42S32400E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 3192 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS62WV6416BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55TLI-TR 1.6971
RFQ
 ECAD 3327 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV6416 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 64K x 16 Парлель 55NS
IS43DR81280B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25DBLI 7.5641
RFQ
 ECAD 2694 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42S32200C1-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BI -
RFQ
 ECAD 5214 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 ЕГО 3,45. 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61VPS102436B-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI 102.5711
RFQ
 ECAD 2161 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS102436 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 250 мг Nestabilnый 36 мб 2,8 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS25LP01GG-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01GG-RMLE-TY 13.2900
RFQ
 ECAD 2624 0,00000000 Issi, ина * Поднос Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP01GG-RMLE-TY 176
IS43DR16160B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBI -
RFQ
 ECAD 3647 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR -
RFQ
 ECAD 1083 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 100 мг Nestabilnый 128 мб 40 млн Псром 16m x 8 Парлель 40ns
IS49RL36160-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-093EBLI -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 8 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS21ES08GA-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JQLI 15.8300
RFQ
 ECAD 2098 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga IS21ES08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21ES08GA-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 EMMC -
IS25LQ025B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JDLE -
RFQ
 ECAD 4114 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25LQ025 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 256 В.С. 32K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS61NVP102418-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-250B3 -
RFQ
 ECAD 1554 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS46DR16640B-25EBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2799 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS63WV1288DBLL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10JLI 2.2841
RFQ
 ECAD 4540 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63WV1288 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS25WQ080-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ080-JKLE -
RFQ
 ECAD 6626 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WQ080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI 700 мкс
IS61NLP25618A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 3623 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS65C1024AL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45TLA3-TR 3.9871
RFQ
 ECAD 8772 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS65C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
IS46TR16128AL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6376 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25WQ020-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JBLE -
RFQ
 ECAD 6871 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WQ020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 1 мс
IS46LR32160C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA2-TR 12.3150
RFQ
 ECAD 7363 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS42S32200C1-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TLI -
RFQ
 ECAD 5516 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 ЕГО 3,45. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10TLI-TR 2.7298
RFQ
 ECAD 7280 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS42S16100E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7BLI -
RFQ
 ECAD 7178 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть