SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S16800E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA2-TR -
RFQ
 ECAD 4586 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61LPS25636A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQI -
RFQ
 ECAD 3093 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS42S16400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7832 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-75BLI-TR 3.1263
RFQ
 ECAD 1546 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43R16160D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI 6.4828
RFQ
 ECAD 9143 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43DR16320B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320B-3DBI -
RFQ
 ECAD 8605 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TW-BGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43DR16320B-3DBI Управо 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS25LQ016B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 2591 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS61NLF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-6.5b1i -
RFQ
 ECAD 8908 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLF25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS34MW01G164-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-BLI 4.0752
RFQ
 ECAD 6516 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA IS34MW01 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1636 3A991B1A 8542.32.0071 220 NeleTUSHIй 1 Гит 45 м В.С. 64 м х 16 Парлель 45NS
IS42S16320B-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETL -
RFQ
 ECAD 2797 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43LD32640B-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BL 9.8057
RFQ
 ECAD 5233 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 171 400 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS49NLS18320A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 2482 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS18320A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 HSTL -
IS46TR16128A-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-125KBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2771 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4320 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS62WV102416GALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GALL-55TLI 9.4658
RFQ
 ECAD 6463 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 55 м Шram 1m x 16 Парлель 55NS
IS66WVH32M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DALL-166B1LI 4.8440
RFQ
 ECAD 3885 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVH32M8DALL-166B1LI 480 166 мг Nestabilnый 256 мб 36 млн Псром 32 м х 8 Парлель 36NS
IS25LP256D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JMLE-TR 3.7624
RFQ
 ECAD 7480 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25LP256H-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RMLE -
RFQ
 ECAD 5303 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP256H-RMLE Управо 1 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS42S81600E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TLI -
RFQ
 ECAD 8847 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS61LV12816L-10LQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI-TR -
RFQ
 ECAD 7085 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-LQFP IS61LV12816 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-LQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS46TR16128B-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6754 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LP512MH-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MH-RMLE-TY 7.7635
RFQ
 ECAD 1821 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP512MH-RMLE-TY 176 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS45S16160J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1 5.2943
RFQ
 ECAD 3916 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS49NLC18160A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 7170 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC18160A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 16m x 18 HSTL -
IS43R86400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 3388 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42S16160G-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-5BL-TR 6.5400
RFQ
 ECAD 4990 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 7913 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 3 марта 10 млн Шram 128K x 24 Парлель 10NS
IS43LR32200C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI 3.4456
RFQ
 ECAD 2932 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32200 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель 15NS
IS64WV25616BLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3-TR 9.4500
RFQ
 ECAD 2623 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS62WV25616EALL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TI-TR -
RFQ
 ECAD 9919 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть