SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43TR16128CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-15HBL-TR 4.9893
RFQ
 ECAD 6324 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42S86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI 13.0430
RFQ
 ECAD 3750 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS25WP512M-RMLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3-TR 8.1172
RFQ
 ECAD 6348 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP512M-RMLA3-TR 1000 112 мг NeleTUSHIй 512 мб 7,5 млн В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS46LQ32256AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1 22.5750
RFQ
 ECAD 2389 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32256AL-062BLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 8 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 32 Lvstl 18ns
IS61DDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB22M18C-250M3 -
RFQ
 ECAD 5643 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB22 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS42S16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BLI -
RFQ
 ECAD 2106 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 144 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS46LQ16256A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 3518 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256A-062BLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Lvstl -
IS61NLF25618A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25618A-7.5TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2088 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
IS46TR16640AL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA1 -
RFQ
 ECAD 2552 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель -
IS46TR16128DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA1 5.5503
RFQ
 ECAD 7678 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61DDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3L -
RFQ
 ECAD 9866 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB21 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 250 мг Nestabilnый 36 мб Шram 1m x 36 Парлель -
IS43R16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL 5.7164
RFQ
 ECAD 6745 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV102416ALL-35MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MLI-TR 21.5250
RFQ
 ECAD 6853 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 35 м Шram 1m x 16 Парлель 35NS
IS43R16160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL 5.5581
RFQ
 ECAD 7725 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61NLP12836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2252 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS25LP128F-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE 2.1310
RFQ
 ECAD 4479 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLE 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS43LD16160B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16160B-25BLI-TR 4.8511
RFQ
 ECAD 1831 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD16160B-25BLI-TR 2000 400 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 HSUL_12 15NS
IS42S16100E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TLI -
RFQ
 ECAD 1787 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TLI -
RFQ
 ECAD 2943 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS25LE512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 6673 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LE512M-RMLE Управо 1 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-5555BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7031 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 55 м Псром 1m x 16 Парлель 55NS
IS25WP256E-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3 5.1670
RFQ
 ECAD 4208 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 5,5 млн В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS25LP016D-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLA3 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP016D-JNLA3 Ear99 8542.32.0071 100 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS22TF128G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JCLA2-TR 78.0045
RFQ
 ECAD 9539 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JCLA2-TR 2000 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS42VM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS49RL18320A-093FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093FBL 66.5861
RFQ
 ECAD 7124 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL18320A-093FBL 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS62WV1288DBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288DBLL-45HLI-TR -
RFQ
 ECAD 7847 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
IS63LV1024L-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12J-TR -
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS42S16400J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL 1.8423
RFQ
 ECAD 4712 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV6416ALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1608 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV6416 SRAM - Асинров 1,7 В ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 64K x 16 Парлель 55NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть