SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS29GL256-70FLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70FLEB-TR 5.0853
RFQ
 ECAD 6208 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga Flash - нет (SLC) 3 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL256-70FLEB-TR 2000 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 CFI 70NS, 200 мкс
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR 15.2600
RFQ
 ECAD 8281 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S16800E-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS64WV51216BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MLA3 18.0792
RFQ
 ECAD 6399 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 210 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS61WV102416EDALL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12TLI-TR 10.9725
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416EDALL-12TLI-TR 1500 Nestabilnый 16 марта 12 млн Шram 1m x 16 Парлель 12NS
IS49NLC93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 8665 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC93200A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 32 м х 9 HSTL -
IS29GL128-70FLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLET 7.2900
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga IS29GL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS29GL128-70FLET 3A991B1A 8542.32.0071 144 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8 Парлель 200 мкс
IS43R16160B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 2231 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61C25616AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10TLI-TR 3.4742
RFQ
 ECAD 4894 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61C25616 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS62WV5128DALL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55HLI-TR -
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV5128 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS42S32200L-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TLI 4.2782
RFQ
 ECAD 1461 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS49NLC18320A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 5967 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC18320A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 HSTL -
IS46LD32640C-18BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA1 -
RFQ
 ECAD 1270 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32640C-18BLA1 1 533 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 64M x 32 HSUL_12 15NS
IS62C1024AL-35QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35QLI 3.8200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) IS62C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 84 Nestabilnый 1 март 35 м Шram 128K x 8 Парлель 35NS
IS25WX256-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLE-TR 3.8400
RFQ
 ECAD 7782 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX256 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX256-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS43TR16512S1DL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 9857 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512S1DL-125KBL-TR 1500 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32160F-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBL-TR 11.7300
RFQ
 ECAD 7190 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS46TR16512AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512AL-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 4293 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512AL-15HBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS61NLP102418-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-250B3I -
RFQ
 ECAD 1440 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S16400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS49NLC96400A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25EWBL 49 5275
RFQ
 ECAD 1732 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC96400A-25EWBL 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS42SM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800E-6BLI -
RFQ
 ECAD 6548 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32800 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S16400J-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7TL-TR 1.4470
RFQ
 ECAD 5133 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61WV204816ALL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 2011 год 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS62WV102416ALL-35MI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MI -
RFQ
 ECAD 9440 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WV102416ALL-35MI Управо 210 Nestabilnый 16 марта 35 м Шram 1m x 16 Парлель 35NS
IS45S16160D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7BLA1 -
RFQ
 ECAD 7031 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS46TR16128AL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3590 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS46TR16512AL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512AL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 5710 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512AL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA1-TR 7,9950
RFQ
 ECAD 3092 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS49NLC18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33BL -
RFQ
 ECAD 7631 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть