SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61VF51236A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3 -
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61WV102416DALL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12TLI 11.2746
RFQ
 ECAD 9134 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416DALL-12TLI 96 Nestabilnый 16 марта 12 млн Шram 1m x 16 Парлель 12NS
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR 3.6010
RFQ
 ECAD 9588 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 36 млн Псром 8m x 8 Парлель 36NS
IS46LD32320A-3BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA1 -
RFQ
 ECAD 2931 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 171 333 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS61WV6416BLL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12BLI 1.9868
RFQ
 ECAD 9565 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV6416 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 480 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBLI 11.3900
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1730 Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S16400J-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5BL 1.8604
RFQ
 ECAD 9554 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 200 мг Nestabilnый 64 марта 4,8 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS42S32200C1-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 5133 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 ЕГО 3,45. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16400J-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5TL-TR 1.6078
RFQ
 ECAD 6051 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 200 мг Nestabilnый 64 марта 4,8 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25LQ020A-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020A-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 4556 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25LQ020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-tssop - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 80 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 400 мкс
IS61NLP25618A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3I -
RFQ
 ECAD 6157 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS61LV256AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10JLI-TR 1.1254
RFQ
 ECAD 6511 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS61LV256 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 256 10 млн Шram 32K x 8 Парлель 10NS
IS43TR82560C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBLI 6.4615
RFQ
 ECAD 2556 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS25LP256H-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RMLE -
RFQ
 ECAD 5303 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP256H-RMLE Управо 1 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS43TR82560B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBLI -
RFQ
 ECAD 7656 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS46TR16128B-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6754 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42S16160G-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-5BL-TR 6.5400
RFQ
 ECAD 4990 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV12816FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45BLI 1.5749
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV12816FBLL-45BLI 480 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
IS45S16160J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1 5.2943
RFQ
 ECAD 3916 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS25LP256D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JMLE-TR 3.7624
RFQ
 ECAD 7480 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS43R86400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 3388 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS49NLC18160A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 7170 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC18160A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 16m x 18 HSTL -
IS61C256AL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12TLI 1.5200
RFQ
 ECAD 860 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS61C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 234 Nestabilnый 256 12 млн Шram 32K x 8 Парлель 12NS
IS49NLS96400A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-25EWBL 49 5275
RFQ
 ECAD 2402 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS96400A-25EWBL 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS61C5128AS-25HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25HLI-TR 3.4373
RFQ
 ECAD 1775 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS61C5128 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 4 марта 25 млн Шram 512K x 8 Парлель 25NS
IS43TR16128CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-15HBLI-TR 5.4740
RFQ
 ECAD 7754 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61LV12824-8BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BI -
RFQ
 ECAD 8779 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,63 В. 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS61LV12824-8BI Управо 84 Nestabilnый 3 марта 8 млн Шram 128K x 24 Парлель 8ns
IS43R16320D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TL 5.8923
RFQ
 ECAD 8863 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP25636A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3LI-TR 14.7000
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS66WVS2M8ALL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8ALL-104NLI 3.3300
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS66WVS2M8 PSRAM (Psewdo sram) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVS2M8ALL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 мг Nestabilnый 16 марта 7 млн Псром 2m x 8 SPI, QPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть