SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5TQLI 15.4275
RFQ
 ECAD 7705 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51218 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IS25WQ040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JBLE -
RFQ
 ECAD 7787 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WQ040 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 1 мс
IS43DR16160B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI 4.6787
RFQ
 ECAD 7836 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 400 мг Nestabilnый 256 мб 400 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61WV102416ALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416ALL-20TLI-TR 19.3241
RFQ
 ECAD 5108 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 16 марта 20 млн Шram 1m x 16 Парлель 20ns
IS61WV25616FALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FALL-10BLI-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 8391 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV25616FALL-10BLI-TR 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS22TF128G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1 75.0416
RFQ
 ECAD 7279 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JQLA1 98 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS46TR16512A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 8549 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512A-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-6BLI-TR 5.1153
RFQ
 ECAD 8327 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS49NLS93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 8996 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS93200A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 32 м х 9 HSTL -
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
IS42S16160G-6TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI-TR -
RFQ
 ECAD 1917 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
 ECAD 5733 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS43TR16512AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 2467 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16512AL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32200C1-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS25WP016-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JLLE -
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 Серриал 800 мкс
IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA2-TR 6.6529
RFQ
 ECAD 2890 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 8743 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2500 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 512K x 16 Парлель 45NS
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 1336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2500 200 мг Nestabilnый 16 марта Псром 4m x 4 SPI - Quad I/O 40ns
IS45S16320B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6522 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 4804 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S32160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 2011 год 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43TR82560BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 2477 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR82560BL-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6019 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS49NLC96400A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25EWBLI 54 4856
RFQ
 ECAD 8796 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC96400A-25EWBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1736 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS25LP064D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLE-TR 1.2082
RFQ
 ECAD 5883 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP064D-JBLE-TR 2000 166 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS61LV5128AL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BLI -
RFQ
 ECAD 9947 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-Minibga (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS42S32800B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6B-TR -
RFQ
 ECAD 9212 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43TR16640B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-093NBL -
RFQ
 ECAD 8171 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640B-093NBL Ear99 8542.32.0032 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S32160D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-7BL-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 9594 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть