SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HCPL-2730-000E Broadcom Limited HCPL-2730-000E 3.8000
RFQ
 ECAD 9091 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-2730 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 7в 1,4 В. 12 май 3750vrms 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 5 мкс, 10 мкс 100 м
SL5501300W onsemi SL5501300W -
RFQ
 ECAD 3673 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SL5501 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SL5501300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,23 В. 100 май 5300vrms 25% @ 10ma 400% @ 10ma 20 мкс, 50 ​​мкс (MMAKS) 400 м
4N37SD Fairchild Semiconductor 4n37sd 0,1000
RFQ
 ECAD 113 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
MOC8050M onsemi MOC8050M 0,7400
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC8050 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 150 май - 80 1,18 60 май 4170vrms 500% @ 10ma - 8,5 мкс, 95 мкс -
HCPL-0731-000E Broadcom Limited HCPL-0731-000E 5.8300
RFQ
 ECAD 4337 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0731 ТОК 2 Дэйрлингтон 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 60 май - 18В 1,4 В. 12 май 3750vrms 500% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 5 мкс, 10 мкс 100 м
4N25FR2VM onsemi 4n25fr2vm -
RFQ
 ECAD 1119 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n25fr2vm-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
CNY174TM onsemi CNY174TM -
RFQ
 ECAD 3120 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY174 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (gr, e 0,5700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP182 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
H11A2FR2VM onsemi H11A2FR2VM -
RFQ
 ECAD 4804 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
CNY17F3SVM onsemi CNY17F3SVM -
RFQ
 ECAD 3520 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
LTV-8241S-TA Lite-On Inc. LTV-8241S-TA -
RFQ
 ECAD 8097 0,00000000 Lite-On Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло LTV-8241 AC, DC 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 60 мкс, 53 мкл 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB-LF6, f 0,6400
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый TLP785 (GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
8018630000 Weidmüller 8018630000 -
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 Weidmüller - МАССА Управо -25 ° C ~ 50 ° C. Din Rail Модул ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 20 май - 48 - - - - - -
FOD2741BT onsemi FOD2741BT -
RFQ
 ECAD 6255 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
5962-8978501PC Broadcom Limited 5962-8978501PC 119,9712
RFQ
 ECAD 2821 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 5962-8978501 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
PC81108NSZ0F Sharp Microelectronics PC81108NSZ0F 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Оправовов PC8110XNSZOF Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PC8110 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Neprigodnnый 425-2172-5 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 2 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - 2 мкс, 23 мкс 350 м
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 50 май 5 мкс, 9 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 мкс, 9 мкс 300 м
VO1263AACTR Vishay Semiconductor Opto Division VO1263AACTR 5.2200
RFQ
 ECAD 1670 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO1263 ТОК 2 Фото -доктерский 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 3 мка - 16,5. 1,3 В. 50 май 5300vrms - - 16 мкс, 472 мкс -
H11AA3S onsemi H11AA3S -
RFQ
 ECAD 5934 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AA3S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 100 май 5300vrms 50% @ 10ma - - 400 м
140814243000 Würth Elektronik 140814243000 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Dip-Sl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,24 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1632 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP371 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP371 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
PS8101-AX CEL PS8101-OX -
RFQ
 ECAD 5886 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Полески Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS8101AX Ear99 8541.49.8000 20 8 май - 35 1,7 25 май 3750vrms 15% @ 16ma 35% @ 16ma 500NS, 600NS -
140814242100 Würth Elektronik 140814242100 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Dip-S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,24 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
PC81102NSZ0F Sharp Microelectronics PC81102NSZ0F 0,1900
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 Оправовов PC8110XNSZOF Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PC8110 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Neprigodnnый 425-2168-5 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 2 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - 2 мкс, 23 мкс 350 м
HCPL-0500 Broadcom Limited HCPL-0500 1.1749
RFQ
 ECAD 9889 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0500 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-1024-5 Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 5% @ 16ma - 200NS, 1,3 мкм -
MOC80803S onsemi MOC80803S -
RFQ
 ECAD 3999 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC808 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC80803S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 100 май 5300vrms 50% @ 10ma - 3,5 мкс, 25 мкс 1V
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2862 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
MOC8107S onsemi MOC8107S -
RFQ
 ECAD 6786 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC810 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8107S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma 300% @ 10MA 2 мкс, 3 мкс 400 м
MOC81113SD onsemi MOC81113SD -
RFQ
 ECAD 6116 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC811 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC81113SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
SFH690C-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH690C-X001T 0,2740
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть