SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
CNY117-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-1X007T 0,2997
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
HCPL0501R2 onsemi HCPL0501R2 2.9700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL0501 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (LF6, ф -
RFQ
 ECAD 7433 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N29 Everlight Electronics Co Ltd 4n29 0,4721
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
CNY117F-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-1X007T 0,2997
RFQ
 ECAD 7650 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (TPL, e 0,5100
RFQ
 ECAD 9277 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
PC817XNNSZ0F SHARP/Socle Technology PC817XNNSZ0F -
RFQ
 ECAD 5703 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Трубка Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2561-2 CEL PS2561-2 -
RFQ
 ECAD 4663 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 45 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4, ф -
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (D4F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
PC81101NSZ0F Sharp Microelectronics PC81101NSZ0F 0,1900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Оправовов PC8110XNSZOF Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PC8110 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Neprigodnnый 425-2167-5 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 2 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - 2 мкс, 23 мкс 350 м
PS2533-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2533-1-VA 1.9900
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2533 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1255 Ear99 8541.49.8000 100 150 май 100 мкс, 100 мкс 350 1,15 В. 80 май 5000 дней 1500% @ 1MA 6500% @ 1MA - 1V
HCPL-817-56BE Broadcom Limited HCPL-817-56BE 0,6000
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HCPL-817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
CNY64S(A)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd Cny64s (a) (ta) -v 1.4091
RFQ
 ECAD 8178 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CNY64S ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110000658 Ear99 8541.49.8000 500 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,6 В. 75 май 8200vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 7 мкс 300 м
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GR-TPL, e 0,5200
RFQ
 ECAD 4529 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
JAN4N48 TT Electronics/Optek Technology Jan4n48 -
RFQ
 ECAD 9569 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 128-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 365-1969 Ear99 8541.49.8000 1 50 май 20 мкс, 20 мкс (MMAKS) 40 1,5 - 40 май 1000 В 100% @ 1MA 500% @ 1MA - 300 м
H11A817CS onsemi H11A817CS -
RFQ
 ECAD 7158 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A817CS-NDR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
HCPL3700SD onsemi HCPL3700SD 5.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL3700 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 30 май 45 мкс, 0,5 мкс 20 - 2500vrms - - 6 мкс, 25 мкс -
LTV-844S-TA Lite-On Inc. LTV-844S-TA -
RFQ
 ECAD 2940 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-8x4 Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло LTV-844 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) LTV844STA Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
HCPL-M453-000E Broadcom Limited HCPL-M453-000E 3.1400
RFQ
 ECAD 9581 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников HCPL-M453 ТОК 1 Траншистор 6 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
PC852XNNSZ0F Sharp Microelectronics PC852XNNSZ0F -
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 Оправовов - Трубка Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 150 май 100 мкс, 20 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - - 1,2 В.
EL1119-VG Everlight Electronics Co Ltd EL1119-VG -
RFQ
 ECAD 2642 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников EL1119 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,5 - 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс 400 м
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4COS-LF2, ф -
RFQ
 ECAD 9163 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
PC357N5TJ00F Sharp Microelectronics PC357N5TJ00F -
RFQ
 ECAD 5252 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
MOC8100VM onsemi MOC8100VM -
RFQ
 ECAD 4503 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC810 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8100VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 2 мкс 30 1,2 В. 60 май 7500VPK 30% @ 1MA - 20 мкс, 20 мкс (MMAKS) 500 м
EL3H7(D)(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (d) (ta) -g 0,2378
RFQ
 ECAD 3896 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3903H70007 Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 3.5300
RFQ
 ECAD 880 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Полески Актифен RV1S2752 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP631 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP631 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
EL217 Everlight Electronics Co Ltd EL217 -
RFQ
 ECAD 4034 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,3 В. 60 май 3750vrms 100% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 400 м
PS2561L2-1-V-L-A CEL PS2561L2-1-VLA -
RFQ
 ECAD 8988 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
EL816(S1)(A)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s1) (a) (td) -v -
RFQ
 ECAD 6732 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL816 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть