SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HMA2701AR3 onsemi HMA2701AR3 -
RFQ
 ECAD 6973 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA270 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
H11A5 Fairchild Semiconductor H11A5 -
RFQ
 ECAD 1083 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2123 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 30% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2711T Fairchild Semiconductor FOD2711T 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
LTV-356T-TP1-B Lite-On Inc. LTV-356T-TP1-B 0,0773
RFQ
 ECAD 2883 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-356T Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло LTV-356 ТОК 1 Траншистор 4-Sop - Rohs3 160-LTV-356T-TP1-BTR Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP532(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 3029 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP532 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
OPI1270-018 TT Electronics/Optek Technology OPI1270-018 -
RFQ
 ECAD 7939 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru Обоз OPI1270 ТОК 1 Траншистор Оос СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 - - 33 В 2,3 В (МАКС) - - - - -
LTV826STA1-V Lite-On Inc. LTV826STA1-V 0,2138
RFQ
 ECAD 8081 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-8x6 Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло LTV826 ТОК 2 Траншистор 8-SMD - Rohs3 160-LTV826STA1-VTR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRH-T7, ф -
RFQ
 ECAD 2497 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4GRH-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TIL190-4 Texas Instruments TIL190-4 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 919
PS8802-2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS8802-2-V-OX 12.2000
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Полески Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PS8802 ТОК 2 Дэйрлингтон С.Бах 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 8 май - - 1,7 25 май 2500vrms 15% @ 16ma 45% @ 16ma - -
TLP781(Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Y-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 1947 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-tlp781 (y-tp6f) tr Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL3H7(A)(EB)-G Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (a) (eb) -g -
RFQ
 ECAD 5588 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TLP759(D4IM-T5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-T5, J, F. -
RFQ
 ECAD 6616 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (D4IM-T5JF Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
FOD2741AT Fairchild Semiconductor FOD2741AT 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 592 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
SFH6186-5T1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-5T1 0,3399
RFQ
 ECAD 8368 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
EL3H7(K)(EB)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (k) (eb) -vg -
RFQ
 ECAD 9468 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 200 м
TIL118-3 Texas Instruments TIL118-3 0,3200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 951
PS2506L-1-E3-A CEL PS2506L-1-E3-A -
RFQ
 ECAD 5175 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 1MA - - 1V
ISP817D Isocom Components 2004 LTD ISP817D 0,1583
RFQ
 ECAD 9876 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ISP817 ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
CNY17F3300W Fairchild Semiconductor CNY17F3300W 0,0900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
MCT5201SM onsemi MCT5201SM -
RFQ
 ECAD 4197 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT5 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 2,5 мкс, 16 мкс 30 1,25 50 май 7500VPK 120% @ 5MA - - 400 м
PS2561A-1-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561A-1-wa -
RFQ
 ECAD 8918 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1273 Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
MOC217R1VM onsemi MOC217R1VM -
RFQ
 ECAD 6941 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOC217 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,07 60 май 2500vrms 100% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
TLP3910(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (D4, e 3.3300
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP3910 ТОК 2 Фото -доктерский 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - - 24 3,3 В. 30 май 5000 дней - - 300 мкс, 100 мкс -
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 9323 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-tlp781f (grh-lf7f) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP182(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (BL-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 9964 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
SFH6106-4T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-4T 0,9900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOMA618A-8X001T Vishay Semiconductor Opto Division Voma618a-8x001t 2.9900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Voma618a Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Voma618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,8 мкс, 1,7 мкс 80 1,28 20 май 3750vrms 130% @ 1MA 260% @ 1MA 6,8 мкс, 2,3 мкм 400 м
HMA121R4 onsemi HMA121R4 -
RFQ
 ECAD 5742 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
PS2861-1-K-A CEL PS2861-1-KA -
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 2500vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть