SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) Оинка Кваликака
H11A617BS onsemi H11A617BS -
RFQ
ECAD 6550 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400 м
HCPL-4503-500E Broadcom Limited HCPL-4503-500E 2.7700
RFQ
ECAD 104 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-4503 ТОК 1 Траншистор 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
HCPL0700 Fairchild Semiconductor HCPL0700 1.1600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 260 60 май - 1,25 20 май 2500vrms 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 1 мкс, 7 мкс -
VOL618A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vol618a-3x001t 0,6700
RFQ
ECAD 20 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
EL817(S1)(A)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (a) (TB) -
RFQ
ECAD 1005 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
4N25TVM Fairchild Semiconductor 4n25tvm 0,2700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1122 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
PS2801A-1-M-A CEL PS2801A-1-MA -
RFQ
ECAD 8689 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 30 май 5 мкс, 7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
PS2561FL-1Y-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2561FL-1Y-F3-A 1.0700
RFQ
ECAD 1749 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2561 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 300 м
TLP781F(Y-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-LF7, F) -
RFQ
ECAD 6990 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-tlp781f (y-lf7f) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
ILQ1-X006 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ1-X006 1.0916
RFQ
ECAD 8482 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ1 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1,9 мкл, 1,4 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 700NS, 1,4 мкс 400 м
TLX9000(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9000 (TPL, ф 3.1500
RFQ
ECAD 6185 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLX9000 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май - 40 1,25 30 май 3750vrms 100% @ 5MA 900% @ 5MA 15 мкс, 50 ​​мкс 400 м Автомобиль AEC-Q101
CNY174TVM Fairchild Semiconductor CNY174TVM 0,2000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1588 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
4N25X Isocom Components 2004 LTD 4n25x 0,1844
RFQ
ECAD 2935 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - - 500 м
H11AA2SM onsemi H11AA2SM -
RFQ
ECAD 6893 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,17 60 май 7500VPK 10% @ 10ma - - 400 м
TLP732(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (gr, f) -
RFQ
ECAD 1498 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50
VOW136-X001 Vishay Semiconductor Opto Division Vow136-x001 1.2307
RFQ
ECAD 5275 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 751-Vow136-X001TR Ear99 8541.49.8000 1200 8 май - - 1,38 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma - -
TLP732(D4GRH-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-LF5, ф -
RFQ
ECAD 4780 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4GRH-LF5F Ear99 8541.49.8000 50
HCNW136-500E Broadcom Limited HCNW136-500E 2.5300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNW136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 8 май - 20 1,68 25 май 5000 дней 15% @ 16ma - 1 мкс, 1 мкс (MMAKS) -
FODM2701AR2V onsemi FODM2701AR2V -
RFQ
ECAD 4054 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM27 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,4 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
EL207-V Everlight Electronics Co Ltd EL207-V -
RFQ
ECAD 3735 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) EL207 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,3 В. 60 май 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
HMA121B onsemi HMA121B -
RFQ
ECAD 4984 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400 м
FOD2711T onsemi FOD2711T -
RFQ
ECAD 4590 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD271 ТОК 1 Траншистор 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
HMA121AR1V onsemi HMA121AR1V -
RFQ
ECAD 4684 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400 м
PS2861-1-F3-L-A CEL PS2861-1-F3-LA -
RFQ
ECAD 9360 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
HCPL4502V onsemi HCPL4502V -
RFQ
ECAD 8097 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL45 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
CNY171TM Fairchild Semiconductor CNY171TM 0,1900
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
4N25-X017T Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x017t 0,2788
RFQ
ECAD 1482 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
CNY117-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-3X017T 0,3322
RFQ
ECAD 7784 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X017T 0,2997
RFQ
ECAD 1448 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL300-DEFG-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-DEFG-X016 5.1200
RFQ
ECAD 8364 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2266-IL300-DEFG-X016 Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе