SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
PS2811-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-V-F3-A 1.0400
RFQ
ECAD 5674 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2811 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
PC353TJ0000F Sharp Microelectronics PC353TJ0000F -
RFQ
ECAD 9635 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms - - - 200 м
H11AA1-X009 Vishay Semiconductor Opto Division H11AA1-X009 -
RFQ
ECAD 3963 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - - 400 м
VOS618A-8T Vishay Semiconductor Opto Division VOS618A-8T 0,6400
RFQ
ECAD 2483 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 130% @ 1MA 260% @ 1MA 5 мкс, 8 мкс 400 м
EL814S1(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd EL814S1 (TD) -V -
RFQ
ECAD 5550 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL814 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
6N136SDVM onsemi 6n136sdvm 1.8400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
PC123X1YFZ1B SHARP/Socle Technology PC123X1YFZ1B -
RFQ
ECAD 1955 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Трубка Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - - 200 м
HCPL2731SM onsemi HCPL2731SM 1.0552
RFQ
ECAD 1308 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL2731 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 18В 1,3 В. 20 май 5000 дней 500% @ 1,6 мая - - -
HCPL2730 Fairchild Semiconductor HCPL2730 -
RFQ
ECAD 5657 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-HCPL2730-600039 1
ILQ66-3 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ66-3 -
RFQ
ECAD 7058 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ66 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 400% @ 700 мк - - 1V
CNY17-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X007 0,7100
RFQ
ECAD 6219 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
ECAD 9710 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-TLP626 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
HCPL-817-56AE Broadcom Limited HCPL-817-56AE 0,6000
RFQ
ECAD 7873 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HCPL-817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
HCPL-053L-000E Broadcom Limited HCPL-053L-000E 4.5600
RFQ
ECAD 7370 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-053 ТОК 2 Траншистор 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 1,5 В. 25 май 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
EL215-V Everlight Electronics Co Ltd EL215-V -
RFQ
ECAD 9429 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) EL215 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,3 В. 60 май 3750vrms 20% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 400 м
ACPL-847-300E Broadcom Limited ACPL-847-300E 1.8700
RFQ
ECAD 5914 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ACPL-847 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 25 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2565-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2565-1-VA -
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (Mat, F) -
RFQ
ECAD 3433 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP552 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP552 (MATF) Ear99 8541.49.8000 50
EL814 Everlight Electronics Co Ltd EL814 0,2762
RFQ
ECAD 8189 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C120000003 Ear99 8541.49.8000 100 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
PS2562-1-L-A CEL PS2562-1-la -
RFQ
ECAD 2615 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS25621LA Ear99 8541.49.8000 100 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 700% @ 1MA 3400% @ 1MA - 1V
PS2811-1-V-L-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-VLA -
RFQ
ECAD 7723 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2811 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1522 Ear99 8541.49.8000 50 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 150% @ 1MA 300% @ 1MA - 300 м
H11G1SD onsemi H11G1SD -
RFQ
ECAD 4102 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11g ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11G1SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 100 1,3 В. 60 май 5300vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
FOD617A300W onsemi FOD617A300W -
RFQ
ECAD 3242 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 400 м
FOD2741CSDV onsemi FOD2741CSDV -
RFQ
ECAD 6606 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
SFH6106-3T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3T 0,9900
RFQ
ECAD 11 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
4N25SR2VM onsemi 4n25sr2vm 0,8800
RFQ
ECAD 975 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
H11A2FM onsemi H11A2FM -
RFQ
ECAD 1070 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
HCPL-817-00DE Broadcom Limited HCPL-817-00DE 0,1320
RFQ
ECAD 3936 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
HMA124R4 onsemi HMA124R4 -
RFQ
ECAD 6183 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA124 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400 м
SFH615A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2 0,8000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе