SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) Оинка Кваликака
MCT2EVM Fairchild Semiconductor MCT2EVM -
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
ACNT-H511C-000E Broadcom Limited ACNT-H511C-000E 7.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,535 дюйма, Ирина 13,60 мм) ACNT-H511 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-ACNT-H511C-000E Ear99 8541.49.8000 80 12ma - 24 1,45 20 май 7500vrms 31% при 12 май 80% @ 12ma - -
CNY17F-4X009T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X009T 0,8000
RFQ
 ECAD 9810 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
6N1135 Vishay Semiconductor Opto Division 6n1135 -
RFQ
 ECAD 7946 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n1135 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,6 В. 25 май 5300vrms 7% @ 16ma - 300NS, 300NS -
H11AA814A300 onsemi H11AA814A300 -
RFQ
 ECAD 3673 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11a AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AA814A300-NDR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-BLL, e 0,5500
RFQ
 ECAD 5999 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP385 (D4-Blle Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
NTE3221 NTE Electronics, Inc NTE3221 3.4800
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE3221 Ear99 8541.49.8000 1 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA - - 200 м
TIL1133S onsemi TIL1133S -
RFQ
 ECAD 9139 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло TIL113 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIL1133S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 100 май 5300vrms 300% @ 10MA - 350NS, 55 мкс 1,25
EL817(C)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (c) -g 0,1659
RFQ
 ECAD 2063 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) EL817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3908171505 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
VOA300-DEFG Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-DEFG 0,1500
RFQ
 ECAD 7990 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300-DEFGTR Ear99 8541.49.8000 2000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - - Автомобиль AEC-Q102
PS2933-1-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS2933-1-V-F3-AX 1.2721
RFQ
 ECAD 8769 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили PS2933 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1558-2 Ear99 8541.49.8000 3500 60 май 20 мкс, 5 мкс 350 1,1 В. 50 май 2500vrms 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
FOD617B onsemi FOD617B -
RFQ
 ECAD 2660 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400 м
ILD250-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD250-X009 -
RFQ
 ECAD 3113 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD250 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - - 400 м
MCT2EFR2VM onsemi MCT2EFR2VM -
RFQ
 ECAD 3855 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2EFR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
FODM452R2V Fairchild Semiconductor FODM452R2V 1.0000
RFQ
 ECAD 8486 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор 5-минутнгн СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,6 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 400NS, 350NS -
CNY171 Fairchild Semiconductor CNY171 -
RFQ
 ECAD 3015 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
PC3H411NIP1B Sharp Microelectronics PC3H411NIP1B -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. - - AC, DC 1 Траншистор - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 2500vrms - - - 200 м
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHT7, ф -
RFQ
 ECAD 6227 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4GHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N28TVM Fairchild Semiconductor 4n28tvm -
RFQ
 ECAD 9517 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 791 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
6N136-X017T Vishay Semiconductor Opto Division 6n136-x017t 1.7900
RFQ
 ECAD 9478 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 7502 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP512 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP512 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4Y-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 1433 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TIL111S(TA) Everlight Electronics Co Ltd TIL111S (TA) 0,3759
RFQ
 ECAD 5507 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло TIL111 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717L104 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,22 60 май 5000 дней - - - 400 м
4N37-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n37-x009 0,7300
RFQ
 ECAD 845 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
4N24A TT Electronics/Optek Technology 4n24a 33.0442
RFQ
 ECAD 6023 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -65 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 128-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 250 50 май 20 мкс, 20 мкс 35 1,3 В (МАКС) 40 май 1000 В 100% @ 10ma - - 300 м
MCT62 onsemi MCT62 0,9500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MCT62 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 30 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA - 2,4 мкс, 2,4 мкс 400 м
SFH600-0X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-0X007 -
RFQ
 ECAD 2805 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2712V onsemi FOD2712V -
RFQ
 ECAD 3014 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FOD271 ТОК 1 Траншистор 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май - 30 1,5 - 2500vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
PS2702-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2702-1-la -
RFQ
 ECAD 2545 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Полески Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2702 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 200 май 200 мкс, 200 мкс 40 1,1 В. 50 май 3750vrms 700% @ 1MA 3400% @ 1MA - 1V
EL816(B)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (b) -v 0,2730
RFQ
 ECAD 8065 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) EL816 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110000988 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть