SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
OPI1280-032 TT Electronics/Optek Technology OPI1280-032 6.6331
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru NeStAndartnый, 4 -й лир OPI1280 ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 - - 33 В 2,3 В (МАКС) - - - - -
H11A4S(TA) Everlight Electronics Co Ltd H11A4S (TA) -
RFQ
 ECAD 6489 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11A4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171138 Ear99 8541.49.8000 65 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
MOC8111TM onsemi MOC8111TM -
RFQ
 ECAD 6489 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC811 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 7500VPK 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
SFH1690ABT Vishay Semiconductor Opto Division SFH1690ABT 0,2509
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH1690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 400 м
PC123X1YSZ0F Sharp Microelectronics PC123X1SZ0F -
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 200 м
EL814S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL814S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 5466 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
PC847X7JJ00F Sharp Microelectronics PC847X7JJ00F -
RFQ
 ECAD 5298 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 4 Траншистор 16-Dip - 1 (neograniчennnый) 425-2713 Ear99 8541.49.8000 500 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP552(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (HO, F) -
RFQ
 ECAD 8201 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP552 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP552 (HOF) Ear99 8541.49.8000 50
VO615A-5X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-5x016 0,1167
RFQ
 ECAD 8213 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY17-1-360E Broadcom Limited CNY17-1-360E 0,2203
RFQ
 ECAD 9998 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,4 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300 м
4N25-560E Broadcom Limited 4n25-560e 0,2203
RFQ
 ECAD 2909 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 100 май 3 мкс, 3 мкс 30 1,2 В. 80 май 2500vrms 20% @ 10ma - - 500 м
CNY17-2 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2 0,6800
RFQ
 ECAD 271 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
H11AG3S onsemi H11AG3S -
RFQ
 ECAD 1052 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AG3S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 50 май 5300vrms 20% @ 1MA - 5 мкс, 5 мкс 400 м
LDA212STR IXYS Integrated Circuits Division LDA212Str -
RFQ
 ECAD 7934 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло LDA212 AC, DC 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 1 май 3750vrms 300% @ 1MA 30000% @ 1MA 8 мкс, 345 мкс 1V
FODM121FR1V onsemi FODM121FR1V -
RFQ
 ECAD 7786 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM12 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
PS2761-1-F3-K-A CEL PS2761-1-F3-KA -
RFQ
 ECAD 5924 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
H11AA3SR2VM onsemi H11AA3SR2VM -
RFQ
 ECAD 6462 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,17 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - - 400 м
IL300-EF Vishay Semiconductor Opto Division IL300-EF 6 9400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
TLP127(PSE-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (PSE-TPL, U, F. -
RFQ
 ECAD 1770 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (PSE-TPLUFTR Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
OR-3H4-4GB-TA1-G-(GK) Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-3H4-4GB-TA1-G- (GK) 14000
RFQ
 ECAD 3842 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2000
PS2561AL1-1-V-A CEL PS2561AL1-1-VA -
RFQ
 ECAD 2952 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
CNY17F43S onsemi CNY17F43S -
RFQ
 ECAD 6673 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNY17F43S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
FOD2741C Fairchild Semiconductor FOD2741C 0,3600
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
LTV-725VS-TA1 Lite-On Inc. LTV-725VS-TA1 0,3931
RFQ
 ECAD 7703 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-725V Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло LTV-725 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 100 мкс, 20 мкс 300 1,2 В. 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1,2 В.
PS2565L2-1-A Renesas Electronics America Inc PS2565L2-1-A 1.2300
RFQ
 ECAD 7019 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2565 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
CNY17F4TM onsemi CNY17F4TM -
RFQ
 ECAD 8597 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
SFH618A-4X Isocom Components 2004 LTD SFH618A-4X 0,5100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 55 1,5 - 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA - 400 м
TPC817MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MD C9G -
RFQ
 ECAD 6686 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (V4-TPR, U, F) -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (V4-TPRUF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
EL817(S)(C)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (c) (tb) -v -
RFQ
 ECAD 6465 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть