SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HMHA281R2V onsemi HMHA281R2V 0,7400
RFQ
 ECAD 1813 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) HMHA281 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
OPI1280-080 TT Electronics/Optek Technology OPI1280-080 -
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Управо -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru NeStAndartnый, 4 -й лир ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 - - 33 В 2,3 В (МАКС) - - - - -
SFH6206-1T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6206-1T 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6206 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
HCPL-0454-500E Broadcom Limited HCPL-0454-500E 2.6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0454 ТОК 1 Траншистор 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 21% @ 16ma - 200NS, 300NS -
ILD5 Vishay Semiconductor Opto Division ILD5 2.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD5 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1,1 мкс, 2,5 мкс 400 м
6N140A/883B#300 Broadcom Limited 6n140a/883b#300 102.1774
RFQ
 ECAD 2286 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-SMD, кргло 6n140 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
HMA121CV onsemi HMA121CV -
RFQ
 ECAD 7404 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400 м
SFH601-1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-1 15000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP3910(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (TP, e 3.3300
RFQ
 ECAD 2010 ГОД 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP3910 ТОК 2 Фото -доктерский 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - - 24 3,3 В. 30 май 5000 дней - - 300 мкс, 100 мкс -
EL817(S1)(C)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (C) (TD) -
RFQ
 ECAD 5832 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
ILD615-2 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-2 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
OPIA1210ATUE TT Electronics/Optek Technology Opia1210atue -
RFQ
 ECAD 3611 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
ACPL-W454-520E Broadcom Limited ACPL-W454-520E -
RFQ
 ECAD 1224 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ACPL-W454 ТОК 1 Траншистор 6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
OPIA4N35DTUE TT Electronics/Optek Technology Opia4n35dtue -
RFQ
 ECAD 3169 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 50 май 5 мкс, 4 мкс 60 1,2 В. 50 май 5000 дней 60% @ 2ma 600% @ 2MA - 300 м
SFH615AGB-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGB-X009 0,8000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
H11G2SVM onsemi H11G2SVM -
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11g ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 80 1,3 В. 60 май 4170vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
MOC8103SD Fairchild Semiconductor MOC8103SD 0,2300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 108% @ 10ma 173% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
FOD617ASD Fairchild Semiconductor FOD617ASD 0,1000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2959 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 400 м
VO217AT Vishay Semiconductor Opto Division VO217AT 0,2596
RFQ
 ECAD 3867 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) VO217 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 2 мкс 30 1V 60 май 4000 дней 100% @ 1MA 130% @ 1MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
6N140A/883B#600 Broadcom Limited 6N140A/883B#600 98.9880
RFQ
 ECAD 2314 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-SMD, Butt Saint, Crew Cut 6n140 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-SMD Crew Cut СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
PS2811-1-L-A CEL PS2811-1-la -
RFQ
 ECAD 9469 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 150% @ 1MA 300% @ 1MA - 300 м
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9916 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP2530 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 264-TLP2530 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 15 1,65 В. 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 30% @ 16ma 300NS, 500NS -
H11A2S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A2S (TB) -v -
RFQ
 ECAD 6879 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11A2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171121 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
PS8352AL2-V-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS8352AL2-V-E3-AX 7.5200
RFQ
 ECAD 1572 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,268 ", Ирина 6,80 мм) PS8352 ТОК 1 Analog цiprowogogogogogogo opreopobraowelelel 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - 3,1 мкс, 3,1 мкс 6в - 5000 дней - - - -
4N23A TT Electronics/Optek Technology 4n23a 30.0851
RFQ
 ECAD 8855 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -65 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 250 50 май 15 мкс, 15 мкс 35 1,3 В (МАКС) 40 май 1000 В 60% @ 10ma - - 300 м
VO617A-9X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-9X017T 0,4400
RFQ
 ECAD 1844 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MCT2201SD onsemi MCT2201SD -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2201SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,25 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
VOS627A-3T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-3T 0,7200
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS627 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
IL250-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL250-X009 -
RFQ
 ECAD 6777 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло IL250 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - - 400 м
PC3H4AJ0001B Sharp Microelectronics PC3H4AJ0001B -
RFQ
 ECAD 9549 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. - - AC, DC 1 Траншистор - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms - - - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть