SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH6106-1X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-1x001t 1.0400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCMT4100 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT4100 2.1800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT4100 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL420-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X009 -
RFQ
ECAD 9400 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
VO4257D Vishay Semiconductor Opto Division Vo4257d -
RFQ
ECAD 9488 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 1,6 мая -
4N25-X016 Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x016 0,2319
RFQ
ECAD 1368 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
CNY17-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X001 0,7100
RFQ
ECAD 960 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-1X001 0,4700
RFQ
ECAD 2435 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL1205AT Vishay Semiconductor Opto Division IL1205AT -
RFQ
ECAD 1122 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL1205 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
VO617C-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-3X016 0,2307
RFQ
ECAD 5726 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
CNY75C Vishay Semiconductor Opto Division CNY75C 0,6600
RFQ
ECAD 9006 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4,2 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 7 мкс, 5 мкс 300 м
VO617A-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division Vo617a-4x016 0,4000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) VO617A4X016 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 5MA 320% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ74-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ74-X009 3.9600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ74 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - - 20 1,3 В. 60 май 5300vrms 12,5% @ 16ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
SFH600-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-3X006 0,3172
RFQ
ECAD 6072 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
SFH601-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2X007 -
RFQ
ECAD 7703 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615AY Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AY 0,2221
RFQ
ECAD 2810 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
MOC8104 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8104 1.4200
RFQ
ECAD 54 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC81 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 256% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6136-X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X017 0,5740
RFQ
ECAD 8706 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
4N33-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x009 -
RFQ
ECAD 3032 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
SFH615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X001 0,2798
RFQ
ECAD 3409 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2631-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO2631-X007T 3.4100
RFQ
ECAD 865 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO2631 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,42 В. 15 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
VO4158M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4158M-X007T 1.4261
RFQ
ECAD 3019 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4158 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 3MA -
SFH617A-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-4X001 1.0300
RFQ
ECAD 9292 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2223 Vishay Semiconductor Opto Division VO2223 2.2600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. VO2223 Крик, 1 Трик, Власть 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В (МАКС) 50 май 5300vrms 600 900 млн 25 май Не 210 В/мкс (теп) 10 май -
CNY17F-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X007T 0,8000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6186-5X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-5x001 0,2884
RFQ
ECAD 2844 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VOS617A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS617A-4T 0,6400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS617 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,18 50 май 3750vrms 160% @ 5MA 320% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
TCLT1017 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1017 0,8300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TCLT1017 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO0630T Vishay Semiconductor Opto Division VO0630T 3.2800
RFQ
ECAD 130 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) VO0630 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 15 май 4000 дней 2/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
SFH1690BT-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH1690BT-X001 0,3086
RFQ
ECAD 1613 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH1690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 400 м
4N33-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x007 -
RFQ
ECAD 5674 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе