SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист ВОС (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
VO615A-4X018T Vishay Semiconductor Opto Division Vo615a-4x018t 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
CQY80NG Vishay Semiconductor Opto Division CQY80NG 0,6600
RFQ
 ECAD 8004 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CQY80 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 7 мкс, 6,7 мкс 32V 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 10ma - 11 мкс, 7 мкс 300 м
H11D1 Vishay Semiconductor Opto Division H11d1 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 100 май 5 мкс, 6 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 2,5 мкс, 5,5 мкс 400 м
VO610A-3X008T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-3X008T 0,1298
RFQ
 ECAD 5161 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO610 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
BRT12-F Vishay Semiconductor Opto Division BRT12-F -
RFQ
 ECAD 2188 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT12 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,1 В. 20 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 1,2 мая -
HWXX38236 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX38236 -
RFQ
 ECAD 5984 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX3 - 751-HWXX38236 Управо 1000
TCDT1100 Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1100 -
RFQ
 ECAD 1824 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCDT11 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 7 мкс, 6,7 мкс 32V 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma - 11 мкс, 7 мкс 300 м
VO615A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X016 0,7300
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH615ABM-X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615ABM-X007T -
RFQ
 ECAD 9726 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
IL1-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL1-X016 -
RFQ
 ECAD 6494 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL1 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,2 мкс, 7,6 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 1,6 мкс, 8,6 мкл 250 мв (теп)
IL350 Vishay Semiconductor Opto Division IL350 -
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо - Пефер 8-Sop (0,220 ", ширина 5,60 мм) IL350 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 720 - 350 мкс, - - 1,8 В. 30 май 3000vrms - - - -
SFH640-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH640-2X007 1.9400
RFQ
 ECAD 5184 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH640 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,5 мкс, 5,5 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5 мкс, 6 мкс 400 м
ILD1615-4 Vishay Semiconductor Opto Division ILD1615-4 1.9900
RFQ
 ECAD 7002 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD1615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
ILD2-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD2-X009 1.7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD2 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO615A-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vo615a-4x017t 0,4700
RFQ
 ECAD 5730 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO4258D Vishay Semiconductor Opto Division Vo4258d 1.3406
RFQ
 ECAD 3000 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 1,6 мая -
IL300-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X016 4.9600
RFQ
 ECAD 5472 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
ILD621GB-X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILD621GB-X007T 1.9600
RFQ
 ECAD 7711 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD621 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
HWXX58436 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58436 -
RFQ
 ECAD 3958 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX5 - 751-HWXX58436 Управо 1000
SFH690AT-3077 Vishay Semiconductor Opto Division SFH690AT-3077 -
RFQ
 ECAD 6434 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH690A МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop - DOSTISH 751-SFH690AT-3077 Управо 1 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
TCMT1101 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1101 0,6200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1101 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5,5 мкс, 7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 9,5 мкс, 8,5 мкс 300 м
ILQ620-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ620-X009T 3.8700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ620 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 20 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6136-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X009T 1,7000
RFQ
 ECAD 986 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
SFH601-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-3 1.3700
RFQ
 ECAD 958 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOA300-FG-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-FG-X017T 4,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
TCLT1100 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1100 0,7300
RFQ
 ECAD 680 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1100 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 80 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH6702-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6702-X009T -
RFQ
 ECAD 4483 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6702 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
VOW137-X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vow137-x017t 3.6700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло Vow137 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 10 марта 14ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 10 кв/мкс 100ns, 100ns
CNY75A Vishay Semiconductor Opto Division CNY75A 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,5 мкс, 2,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 4,5 мкс, 3 мкс 300 м
CNY17F-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-1X017T 0,2997
RFQ
 ECAD 5516 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть