SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH615A-2X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2X009T 0,3245
RFQ
ECAD 1247 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO615A-7X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-7X007T 0,1298
RFQ
ECAD 7123 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
TCLT1116 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1116 0,2596
RFQ
ECAD 5313 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1116 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH6916-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6916-X001 1.1382
RFQ
ECAD 2328 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) SFH6916 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1 мкс, 30 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 15 мкс, 500NS 400 м
IL350 Vishay Semiconductor Opto Division IL350 -
RFQ
ECAD 6152 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо - Пефер 8-Sop (0,220 ", ширина 5,60 мм) IL350 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 720 - 350 мкс, - - 1,8 В. 30 май 3000vrms - - - -
SFH615A-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X006 0,8900
RFQ
ECAD 4077 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2223B-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO2223B-X017T 2.4200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD (7 frovoDCOW), крхло VO2223 cur, ur, vde 1 Трик, Власть 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,4 В (МАКС) 50 май 4470vrms 600 1 а 25 май Не 600 v/mks (typ) 10 май -
CNY17-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1X007T 0,8000
RFQ
ECAD 290 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-1 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1 0,6800
RFQ
ECAD 683 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X001 0,7100
RFQ
ECAD 960 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4258M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4258M-X007T 1.4021
RFQ
ECAD 1624 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
VOS617A-9X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS617A-9X001T 0,6400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS617 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,18 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO615A-6X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vo615a-6x017t 0,5000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY75A Vishay Semiconductor Opto Division CNY75A 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,5 мкс, 2,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 4,5 мкс, 3 мкс 300 м
ILQ615-3X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-3X009 1.4021
RFQ
ECAD 6803 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILQ615 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
6N136-X017T Vishay Semiconductor Opto Division 6n136-x017t 1.7900
RFQ
ECAD 9478 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
TCLT1112 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1112 0,2596
RFQ
ECAD 7567 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1112 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL4116-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL4116-X016 -
RFQ
ECAD 7970 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL4116 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 200 мк В дар 10 кв/мкс 1,3 Ма 35 мкс
SFH615A-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3 0,8100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615A-2X016-D Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2X016-D -
RFQ
ECAD 7552 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH615A МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - DOSTISH 751-SFH615A-2X016-D Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
HWXX38238 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX38238 -
RFQ
ECAD 2205 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX3 - 751-HWXX38238 Управо 1000
HWXX58438 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58438 -
RFQ
ECAD 8679 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX5 - 751-HWXX58438 Управо 1000
VOL617A-1T Vishay Semiconductor Opto Division Vol617a-1t 0,5100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 40% @ 5MA 80% @ 5MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
ILD615-2X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-2X009 -
RFQ
ECAD 3564 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
VOT8026AB-T Vishay Semiconductor Opto Division WAT8026AB-T 1.2200
RFQ
ECAD 9981 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
MCA231 Vishay Semiconductor Opto Division MCA231 -
RFQ
ECAD 7552 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MCA23 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,1 В. 60 май 5300vrms 200% @ 10ma - 10 мкс, 30 мкс 1V
HWXX77038TR Vishay Semiconductor Opto Division HWXX77038TR -
RFQ
ECAD 6972 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX7 - 751-HWXX77038TR Управо 1000
VOT8026AB Vishay Semiconductor Opto Division Wat8026ab 0,3990
RFQ
ECAD 7511 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8026AB Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
IL300-F-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-F-X001 11.1900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
VOT8125AB-T2 Vishay Semiconductor Opto Division WOT8125AB-T2 0,4200
RFQ
ECAD 8337 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай VOT8125 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8125AB-T2TR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 5 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе