SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ А. Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
ILQ621GB-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621GB-X009 3.1800
RFQ
ECAD 631 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ621 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD1-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILD1-X007 1.6600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD1 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,9 мкл, 1,4 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 700NS, 1,4 мкс 400 м
VOT8121AB-T3 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8121AB-T3 1.1600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
CNY17-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X016 0,8000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH620A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-3X001 1.0300
RFQ
ECAD 9163 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOM618A-7X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom618a-7x001t 0,5700
RFQ
ECAD 9599 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 4 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 80% @ 1MA 160% @ 1MA 7 мкс, 6 мкс 400 м
SFH615A-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X006 0,2798
RFQ
ECAD 7611 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ2-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X009T 2.9700
RFQ
ECAD 14 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ2 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH617A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-1X001 0,3245
RFQ
ECAD 3552 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOM618A-8T Vishay Semiconductor Opto Division Vom618a-8t 0,6000
RFQ
ECAD 602 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 4 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 130% @ 1MA 260% @ 1MA 7 мкс, 6 мкс 400 м
CNY17-4X009T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X009T 0,8000
RFQ
ECAD 858 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6732-X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6732-X007T -
RFQ
ECAD 4153 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6732 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс, 10 кв/мкс 300NS, 300NS
SFH601-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-3X006 -
RFQ
ECAD 3408 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
6N139-X019T Vishay Semiconductor Opto Division 6n139-x019t 0,7237
RFQ
ECAD 1475 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n139 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 18В 1,4 В. 25 май 5300vrms 500% @ 1,6 мая - 600NS, 1,5 мкс -
SFH615A-3X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X009 0,8900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOA300-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-X007T -
RFQ
ECAD 3767 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300-X007T Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
SFH618A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-3X016 1.1400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH6719 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6719 -
RFQ
ECAD 1383 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH6719 ТОК 1 Три-Госдарство 4,5 В ~ 15 В. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 2,5 кв/мкс 300NS, 300NS
H11A1-X009T Vishay Semiconductor Opto Division H11A1-X009T 1.0000
RFQ
ECAD 5687 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,1 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
SFH610A-4X008T Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-4X008T 0,3976
RFQ
ECAD 6299 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-3. Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3. 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
K3022PG Vishay Semiconductor Opto Division K3022PG 1.0400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Прохл -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) K3022 BSI, CQC, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В. 80 май 5300vrms 400 100 май 200 мка (теп) Не 10 В/мкс (тип) 10 май -
TCLT1012 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1012 0,8300
RFQ
ECAD 23 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TCLT1012 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VOA300-EF-X007 Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-EF-X007 -
RFQ
ECAD 2910 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300-EF-X007 Ear99 8541.49.8000 2000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
VOT8121AB-VT Vishay Semiconductor Opto Division WOT8121AB-VT 1.1600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
SFH610A-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-2X001 1.1200
RFQ
ECAD 5477 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY65EXI Vishay Semiconductor Opto Division CNY65EXI 6,9000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY65 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 32V 1,25 75 май 8200vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
CNY17F-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X009 0,7100
RFQ
ECAD 13 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD2-X016 Vishay Semiconductor Opto Division ILD2-X016 -
RFQ
ECAD 1739 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD2 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOS628A-3T Vishay Semiconductor Opto Division VOS628A-3T 0,6900
RFQ
ECAD 12 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS628 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,16 В. 60 май 3750vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 5 мкс, 8 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе