SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ А. Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
VOS615A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS615A-3X001T 0,6400
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS615 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5 мкс, 5 мкс 400 м
SFH6106-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3 0,8800
RFQ
 ECAD 4555 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL300-F-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-F-X009 10.8500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
IL420-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X001 -
RFQ
 ECAD 3574 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL420 CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
TCET1110 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1110 -
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET11 ТОК 1 Траншистор 4-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
ILD2 Vishay Semiconductor Opto Division ILD2 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD2 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6206-1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6206-1 0,9400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6206 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
6N139-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 6N139-X001 0,6439
RFQ
 ECAD 7142 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n139 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 60 май - 18В 1,4 В. 25 май 5300vrms 500% @ 1,6 мая - 600NS, 1,5 мкс -
ILD1206T Vishay Semiconductor Opto Division ILD1206T 1.4600
RFQ
 ECAD 4145 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ILD1206 ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 70В 1,2 В. 30 май 4000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5 мкс, 4 мкс 400 м
VO3063-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO3063-X006 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) Vo306 Крик, 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 100 май 200 мка (теп) В дар 1,5 кв/мкс 5 май -
VO4256H Vishay Semiconductor Opto Division VO4256H -
RFQ
 ECAD 7723 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4256 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
ILD252-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD252-X009T -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD252 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
4N36-X009T Vishay Semiconductor Opto Division 4n36-x009t 0,2534
RFQ
 ECAD 9284 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n36 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
CNY17-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2x001 0,2221
RFQ
 ECAD 8843 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO615A-8X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-8X007T 0,1298
RFQ
 ECAD 6789 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
H11A1-X006 Vishay Semiconductor Opto Division H11A1-X006 -
RFQ
 ECAD 1509 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,1 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N28-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 4n28-x001 0,2209
RFQ
 ECAD 8858 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n28 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - - 500 м
ILQ2-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X007 2.9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ2 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
6N138-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 6n138-x007 -
RFQ
 ECAD 2134 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n138 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 60 май - 7в 1,4 В. 25 май 5300vrms 300% @ 1,6 мая - 2 мкс, 2 мкс -
VOT8025AB-V Vishay Semiconductor Opto Division Wat8025ab-v 1.3100
RFQ
 ECAD 8045 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай VOT8025 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
SFH6319-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6319-X001T -
RFQ
 ECAD 5894 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH6319 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт - DOSTISH 751-SFH6319-X001T Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 18В 1,28 20 май 4000 дней 500% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая - -
CNY117-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-2x006 0,9800
RFQ
 ECAD 3221 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL207AT Vishay Semiconductor Opto Division IL207AT -
RFQ
 ECAD 6571 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL207 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
CNY17F-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-2X006 0,7100
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2X017T 0,8900
RFQ
 ECAD 760 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4158D-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4158D-X007T -
RFQ
 ECAD 4918 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4158 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 1,6 мая -
SFH617A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-2 0,9400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCED1100 Vishay Semiconductor Opto Division TCED1100 0,8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCED1100 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 80 май 300 мкс, 250 мкл 35 1,15 В. 60 май 5000 дней 600% @ 1MA - - 1V
IL766B-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL766B-2X016 -
RFQ
 ECAD 9276 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL766 AC, DC 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 60 1,25 60 май 5300vrms 900% @ 500 мк - 200 мкс, - 1V
IL1206AT Vishay Semiconductor Opto Division IL1206AT 0,3507
RFQ
 ECAD 3726 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL1206 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть