SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
VOL617A-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vol617a-2x001t 0,5000
RFQ
ECAD 10 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VO615A-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-X001 0,4400
RFQ
ECAD 1646 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
ILQ66-1 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ66-1 -
RFQ
ECAD 7058 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ66 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 2MA - - 1V
VO615A-7X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-7X017T 0,4900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 751-VO615A-7X017T Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
K827PH Vishay Semiconductor Opto Division K827PH 2.2500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) K827 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO4258H-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4258H-X006 1.3133
RFQ
ECAD 9135 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
VOMA618A-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division Voma618a-2x001t 2.9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Voma618a Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Voma618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,8 мкс, 1,7 мкс 80 1,28 20 май 3750vrms 63% @ 1MA 125% @ 1MA 6,8 мкс, 2,3 мкм 400 м
SFH6106-4T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-4T 0,9900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH1617A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH1617A-3X016 0,3644
RFQ
ECAD 2065 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH1617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOC8103-X001 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8103-X001 0,4702
RFQ
ECAD 7536 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC8103 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 108% @ 10ma 173% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCDT1120G Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1120G 0,6700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCD1120 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 3,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma - 5,5 мкс, 4 мкс 300 м
TCET1104 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104 -
RFQ
ECAD 3556 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET11 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY17-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X009 0,2221
RFQ
ECAD 3068 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4154H Vishay Semiconductor Opto Division VO4154H 0,9909
RFQ
ECAD 3834 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4154 Крик, 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 400 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 2MA -
VO617A-8 Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-8 0,4000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH608-5X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-5x007 0,4904
RFQ
ECAD 5488 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH608 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 5 мкс, 7 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 250% @ 1MA 500% @ 1MA 8 мкс, 7,5 мкс 400 м
IL221AT Vishay Semiconductor Opto Division IL221AT 0,3781
RFQ
ECAD 1473 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL221 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1V 60 май 4000 дней 100% @ 1MA - - 1V
IL420-X017T Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X017T -
RFQ
ECAD 7955 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
VOM617A-1X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-1x001t 0,2086
RFQ
ECAD 9710 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 100 май - 80 - 60 май 3750vrms 40% @ 5MA 80% @ 5MA - 400 м
4N26-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n26-x009 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n26 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
CNY117-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-4X016 0,2798
RFQ
ECAD 1858 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
4N25-X000 Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x000 0,1900
RFQ
ECAD 4237 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
K3010P-X007T Vishay Semiconductor Opto Division K3010P-X007T -
RFQ
ECAD 5914 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло K3010 BSI, CQC, UR, VDE 1 Триак 6-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,25 80 май 5300vrms 250 100 май 100 мк (теп) Не 10 кв/мкс (тип) 15 май -
IL4218-X017T Vishay Semiconductor Opto Division IL4218-X017T 5.0600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4218 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
CNY17F-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X017T 0,8900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ1-X006 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ1-X006 1.0916
RFQ
ECAD 8482 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ1 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1,9 мкл, 1,4 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 700NS, 1,4 мкс 400 м
SFH601-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-3X017T 1.6300
RFQ
ECAD 890 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6345-X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X017T 2.2100
RFQ
ECAD 896 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
BRT13-H Vishay Semiconductor Opto Division BRT13-H -
RFQ
ECAD 5859 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT13 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,1 В. 20 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA -
VOW2611-X001 Vishay Semiconductor Opto Division Vow2611-x001 1.4454
RFQ
ECAD 8237 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 10 В ~ 30 В. 8-Dip СКАХАТА 751-Vow2611-X001TR Ear99 8541.49.8000 1200 50 май 10 марта 14ns, 7ns 1,65 В. 20 май 5300vrms 1/0 25 кв/мкс 100ns, 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе