SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TCET1104G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104G 0,1727
RFQ
ECAD 6485 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCET1104 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VOT8121AG Vishay Semiconductor Opto Division VOT8121AG 0,3918
RFQ
ECAD 6331 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
CNY65ABST Vishay Semiconductor Opto Division CNY65ABST 3.3800
RFQ
ECAD 839 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CNY65 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 400 50 май 2,4 мкс, 2,7 мкс 32V 1,32 В. 75 май 8200vrms 80% @ 5MA 240% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
CNY117-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-2X016 0,2798
RFQ
ECAD 6042 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOT8121AB-V Vishay Semiconductor Opto Division Vot8121ab-v 1.1600
RFQ
ECAD 7942 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
SFH640-3X019T Vishay Semiconductor Opto Division SFH640-3X019T 2.1800
RFQ
ECAD 15 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH640 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2,5 мкс, 5,5 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5 мкс, 6 мкс 400 м
CNY17F-4 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4 0,6800
RFQ
ECAD 725 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY117-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-1x001 0,3086
RFQ
ECAD 2381 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH600-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-2X001 0,3172
RFQ
ECAD 4312 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
SFH610A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-3X001 1.1000
RFQ
ECAD 7120 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2611-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO2611-X017T 2.3800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO2611 ТОК 1 Откргит 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 15 кв/мкс 100ns, 100ns
VO4258H Vishay Semiconductor Opto Division VO4258H 3.5200
RFQ
ECAD 4869 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
SFH6106-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3 0,8800
RFQ
ECAD 4555 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD610-1 Vishay Semiconductor Opto Division ILD610-1 0,8476
RFQ
ECAD 3443 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD610 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,9 мкс 400 м
ILD1-X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILD1-X001 0,5603
RFQ
ECAD 5911 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD1 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,9 мкл, 1,4 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 700NS, 1,4 мкс 400 м
VOS615A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS615A-4T 0,6400
RFQ
ECAD 7940 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS615 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5 мкс, 5 мкс 400 м
VO4258M-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4258M-X006 -
RFQ
ECAD 3044 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
CNY117F-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-3X001 0,3026
RFQ
ECAD 2030 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCMT1103 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1103 0,6200
RFQ
ECAD 23 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1103 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5,5 мкс, 7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 9,5 мкс, 8,5 мкс 300 м
IL300-EF-X017T Vishay Semiconductor Opto Division IL300-EF-X017T 6.9900
RFQ
ECAD 174 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
SFH636-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH636-X001 3.0900
RFQ
ECAD 9879 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH636 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 4420vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
CNY17-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1x001 0,7100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL300-F-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-F-X009 10.8500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
ILQ620GB-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ620GB-X009T 4.3400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ620 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 20 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD755-1 Vishay Semiconductor Opto Division ILD755-1 3.1200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD755 AC, DC 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 - 50 мкс, 50 ​​мкс 60 1,2 В. 60 май 5300vrms 750% @ 2MA - - 1V
VOM617A-9X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-9x001t 0,5600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
IL420-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X001 -
RFQ
ECAD 3574 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL420 CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
SFH615A-1X008T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X008T -
RFQ
ECAD 6850 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2X017T 0,3631
RFQ
ECAD 2649 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6186-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-4X001T 0,9200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе