SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH6156-3T0 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-3T0 0,2798
RFQ
 ECAD 4023 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOM617A-9X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-9x001t 0,5600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO617A-8 Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-8 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH1617A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH1617A-3X016 0,3644
RFQ
 ECAD 2065 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH1617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
4N26-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n26-x009 0,7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n26 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
ILD610-1 Vishay Semiconductor Opto Division ILD610-1 0,8476
RFQ
 ECAD 3443 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD610 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,9 мкс 400 м
MOC8103-X001 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8103-X001 0,4702
RFQ
 ECAD 7536 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC8103 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 108% @ 10ma 173% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOM617A-8T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-8t 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
K817P9 Vishay Semiconductor Opto Division K817P9 -
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) K817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO4154H Vishay Semiconductor Opto Division VO4154H 0,9909
RFQ
 ECAD 3834 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4154 Крик, 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 400 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 2MA -
6N135-3054 Vishay Semiconductor Opto Division 6N135-3054 -
RFQ
 ECAD 7784 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n135 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 16ma - 15 1,6 В. 25 май 5300vrms 7% @ 16ma - 300NS, 300NS -
SFH6186-5 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-5 1.0100
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
CNY17-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X009 0,2221
RFQ
 ECAD 3068 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4258H-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4258H-X006 1.3133
RFQ
 ECAD 9135 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
SFH615A-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X007 0,9000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1x001 0,7100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL4216-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL4216-X007T -
RFQ
 ECAD 2897 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4216 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
IL420-X017T Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X017T -
RFQ
 ECAD 7955 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
TCET1104 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104 -
RFQ
 ECAD 3556 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET11 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VOM617A-1X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-1x001t 0,2086
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 100 май - 80 - 60 май 3750vrms 40% @ 5MA 80% @ 5MA - 400 м
SFH6705-X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6705-X006 -
RFQ
 ECAD 7953 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH6705 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 В ~ 15 В. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 25ns, 4ns 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
CNY117-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-4X017T 0,3322
RFQ
 ECAD 5764 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH636-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH636-X001 3.0900
RFQ
 ECAD 9879 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH636 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 4420vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
BRT23-F Vishay Semiconductor Opto Division BRT23-F -
RFQ
 ECAD 5294 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT23 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,16 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 1,2 мая 35 мкс
IL766B-2X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL766B-2X009T -
RFQ
 ECAD 8532 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло IL766 AC, DC 1 Дэйрлингтон 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 60 1,25 60 май 5300vrms 900% @ 500 мк - 200 мкс, - 1V
HWXX58338 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58338 -
RFQ
 ECAD 4860 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX5 - 751-HWXX58338 Управо 1000
ILQ2-X017 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X017 -
RFQ
 ECAD 9545 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ2 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH617A-2X019 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-2X019 1.1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCDT1120G Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1120G 0,6700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCD1120 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 3,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma - 5,5 мкс, 4 мкс 300 м
VOT8121AB-V Vishay Semiconductor Opto Division Vot8121ab-v 1.1600
RFQ
 ECAD 7942 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть