SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
H11A2 Vishay Semiconductor Opto Division H11A2 -
RFQ
 ECAD 3441 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
ILQ621-X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621-X007T 1.4579
RFQ
 ECAD 5967 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ621 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615A-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X007 0,9000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOM617A-8T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-8t 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
SFH615AY-X019T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AY-X019T 0,3322
RFQ
 ECAD 2109 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
BRT23-F Vishay Semiconductor Opto Division BRT23-F -
RFQ
 ECAD 5294 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT23 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,16 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 1,2 мая 35 мкс
SFH617A-2X019 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-2X019 1.1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL4216-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL4216-X007T -
RFQ
 ECAD 2897 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4216 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
SFH628A-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH628A-4 1.2200
RFQ
 ECAD 527 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH628 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
ILD74-X016 Vishay Semiconductor Opto Division ILD74-X016 -
RFQ
 ECAD 7590 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD74 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 20 1,3 В. 60 май 5300vrms 12,5% @ 16ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
VOM1271T Vishay Semiconductor Opto Division Vom1271t 2.2800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom1271 ТОК 1 Фото -доктерский 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - - 1,4 В. 50 май 3750vrms - - 53 мкс, 24 мкс -
TCET1104G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104G 0,1727
RFQ
 ECAD 6485 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCET1104 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
ILQ66-4X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ66-4X009T -
RFQ
 ECAD 9721 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ66 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 2MA - - 1V
VO4258M-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4258M-X006 -
RFQ
 ECAD 3044 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
VO2631-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO2631-X017T 3.4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO2631 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,42 В. 15 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
CNY17F-3X019 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X019 0,2509
RFQ
 ECAD 8979 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6136-X019T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X019T -
RFQ
 ECAD 2611 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
TCET1101 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1101 -
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET11 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH615AGB Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGB -
RFQ
 ECAD 1864 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
VO617A-9 Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-9 0,4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
4N33-X00 Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x00 -
RFQ
 ECAD 5321 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
VOS615A-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS615A-2X001T 0,6400
RFQ
 ECAD 4034 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS615 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5 мкс, 5 мкс 400 м
VO617A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-2X017T 0,4400
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOD205T Vishay Semiconductor Opto Division Vod205t 1.0200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Vod205 ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 5 мкс, 4 мкс 70В 1,2 В. 30 май 4000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 5 мкс, 4 мкс 400 м
VO2630-X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO2630-X009T 3.2300
RFQ
 ECAD 672 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO2630 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 15 май 5300vrms 2/0 1 кв/мкс 75ns, 75ns
VO610A-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-4X017T 0,5000
RFQ
 ECAD 7244 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO610 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO610A-4X019T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-4X019T 0,1391
RFQ
 ECAD 4922 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO610 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO0631T Vishay Semiconductor Opto Division VO0631T 3.4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) VO0631 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 15 май 4000 дней 2/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
VO615A-1X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-1X009T 0,7300
RFQ
 ECAD 843 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO615A-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-1X017T 0,1298
RFQ
 ECAD 9317 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть