SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
ILD207T-LB Vishay Semiconductor Opto Division ILD207T-LB -
RFQ
ECAD 4878 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я ILD207T МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт - 751-ild207t-lb Ear99 8541.49.8000 1000 - 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 4000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 400 м
BRT13H-X017 Vishay Semiconductor Opto Division BRT13H-X017 -
RFQ
ECAD 6855 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло BRT13 CQC, UL, VDE 1 Триак 6-SMD - 751-BRT13H-X017 Ear99 8541.49.8000 1000 1,1 В. 20 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA -
SFH6156 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156 -
RFQ
ECAD 4487 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо - DOSTISH 751-SFH6156 Ear99 8541.49.8000 1000
IL300-FG-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-FG-X006 -
RFQ
ECAD 1292 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я IL300 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip - 751-IL300-FG-X006 Ear99 8541.49.8000 1000 - 1 мкс, 1 мкс - 1,25 60 май 4420vrms - - - -
HWXX4038 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX4038 -
RFQ
ECAD 8149 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX4 - 751-HWXX4038 Управо 1000
SFH615A-2-D Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2-D -
RFQ
ECAD 9510 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH615A МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - DOSTISH 751-SFH615A-2-D Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
4N27-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n27-x009 0,2209
RFQ
ECAD 5769 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n27 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - - 500 м
SFH6702-X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6702-X007 -
RFQ
ECAD 6075 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6702 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
SFH617A-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-1X007T 1.1200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO615A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X017T 0,4700
RFQ
ECAD 2279 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY17F-1X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-1X007 0,2221
RFQ
ECAD 1961 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-2X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-2X009 0,2221
RFQ
ECAD 4268 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOS627AT Vishay Semiconductor Opto Division VOS627AT 0,7000
RFQ
ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS627 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
H11B1 Vishay Semiconductor Opto Division H11B1 -
RFQ
ECAD 2723 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 25 В 1,1 В. 60 май 5300vrms 500% @ 1MA - 5 мкс, 30 мкс 1V
VOT8125AG-V Vishay Semiconductor Opto Division VOT8125AG-V 1.2500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,400 ", 10,16 мм), 5 Свиньдов VOT8125 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,2 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 5 май -
TCLT1114 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1114 0,2596
RFQ
ECAD 2880 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1114 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH600-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-3X007 1.0100
RFQ
ECAD 712 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
MOC8101-X009 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8101-X009 -
RFQ
ECAD 5183 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC81 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6732-3098 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6732-3098 -
RFQ
ECAD 4020 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH6732 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс, 10 кв/мкс 300NS, 300NS
4N32-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4n32-x009 -
RFQ
ECAD 5497 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n32 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
VOM617A-8X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-8x001t 0,5700
RFQ
ECAD 10 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
IL252-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X009T -
RFQ
ECAD 5007 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло IL252 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
SFH610A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-3X007T 12000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6106-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-4X001T 1.0800
RFQ
ECAD 780 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCLT1011 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1011 0,2596
RFQ
ECAD 7968 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен - - - TCLT1011 - - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 - - - - - - - - -
SFH618A-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-4X001 0,3644
RFQ
ECAD 1688 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
CNY75GC Vishay Semiconductor Opto Division CNY75GC 0,6600
RFQ
ECAD 118 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4,2 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 7 мкс, 5 мкс 300 м
VOS627A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-3X001T 0,6700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS627 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
ILD2-X006 Vishay Semiconductor Opto Division ILD2-X006 0,5877
RFQ
ECAD 2456 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD2 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL300-DEFG-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-DEFG-X001 5.0600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе