SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH6705-X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6705-X007 -
RFQ
 ECAD 1077 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6705 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 В ~ 15 В. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 25ns, 4ns 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
SFH617A-1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-1 0,9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOL617A-2T Vishay Semiconductor Opto Division Vol617a-2t 0,5400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
CNY17F-3X017 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X017 0,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2601-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO2601-X006 0,7793
RFQ
 ECAD 2304 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO2601 ТОК 1 Откргит 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 5 кв/мкс 75ns, 75ns
SFH6186-3T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3T 1.0100
RFQ
 ECAD 8129 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
TCET1201 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1201 0,1746
RFQ
 ECAD 6927 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET1201 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VOM160RT Vishay Semiconductor Opto Division Vom160rt 1.1800
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom160 CQC, cur, ur 1 Триак 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 3750vrms 600 70 май 300 мк (typ) Не 500 -мкс 10 май -
BRT23-H Vishay Semiconductor Opto Division BRT23-H -
RFQ
 ECAD 3529 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT23 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,16 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
SFH619A-X009TO Vishay Semiconductor Opto Division SFH619A-X009TO -
RFQ
 ECAD 9278 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH619 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 125 май 3,5 мкс, 14,5 мкс 300 1,2 В. 60 май 5300vrms 1000% @ 1MA - 4,5 мкс, 29 мкс 1,2 В.
VOS617AT Vishay Semiconductor Opto Division VOS617AT 0,6400
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS617 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,18 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO615A Vishay Semiconductor Opto Division Vo615a 0,4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
ILQ620-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ620-X007 -
RFQ
 ECAD 9068 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ620 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 20 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD5 Vishay Semiconductor Opto Division ILD5 2.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD5 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1,1 мкс, 2,5 мкс 400 м
CNY17F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3 0,6800
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-2X019T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-2X019T 0,2997
RFQ
 ECAD 2718 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-2 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2 0,6800
RFQ
 ECAD 271 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ621 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ621 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
6N137 Vishay Semiconductor Opto Division 6n137 1.8200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n137 ТОК 1 Откргит 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 75ns, 75ns
SFH6186-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3X001 0,2884
RFQ
 ECAD 8283 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VO4257M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4257M-X007T -
RFQ
 ECAD 9511 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
SFH6186-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-4 0,9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH617A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X016 1.1200
RFQ
 ECAD 958 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615A-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-4X009 0,8700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL440-5 Vishay Semiconductor Opto Division IL440-5 -
RFQ
 ECAD 1442 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL440 BSI, CSA, CUR, UR 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 1,25 60 май 5300vrms 400 100 май 1ma (typ) Не 50 В/мкс (тип) 10 май -
CNY64AYST Vishay Semiconductor Opto Division CNY64AYST 3.0900
RFQ
 ECAD 252 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CNY64 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 400 50 май 2,4 мкс, 2,7 мкс 32V 1,32 В. 75 май 8200vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
SFH6156-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-4X001T 0,7300
RFQ
 ECAD 390 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4157H-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO4157H-X017T -
RFQ
 ECAD 8858 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4157 cur, fimko, ur, vde 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 2MA -
VO4158H-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO4158H-X017T 1.4822
RFQ
 ECAD 4163 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4158 cur, fimko, ur, vde 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 2MA -
VO4157M-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO4157M-X001 -
RFQ
 ECAD 3603 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4157 cur, fimko, ur, vde 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 3MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть