SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
IL212AT Vishay Semiconductor Opto Division IL212AT 1.0600
RFQ
ECAD 63 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL212 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,3 В. 60 май 4000 дней 50% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
ILD615-2X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-2X009T 1.7800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
4N35-X007T Vishay Semiconductor Opto Division 4n35-x007t 0,7400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
6N136-X007T Vishay Semiconductor Opto Division 6N136-X007T 1.6700
RFQ
ECAD 680 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
VO615A-6X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vo615a-6x017t 0,5000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH6156-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-3 0,8000
RFQ
ECAD 15 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X007 0,7100
RFQ
ECAD 2635 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL300-E Vishay Semiconductor Opto Division IL300-E 11.1500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
SFH600-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-3X001 0,3172
RFQ
ECAD 2705 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
VOW137-X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vow137-x017t 3.6700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло Vow137 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 10 марта 14ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 10 кв/мкс 100ns, 100ns
4N26 Vishay Semiconductor Opto Division 4n26 0,5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n26 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 4n26x Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,3 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
ILD621-X016 Vishay Semiconductor Opto Division ILD621-X016 -
RFQ
ECAD 6837 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD621 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-1X017T 0,2997
RFQ
ECAD 5516 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL350 Vishay Semiconductor Opto Division IL350 -
RFQ
ECAD 6152 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо - Пефер 8-Sop (0,220 ", ширина 5,60 мм) IL350 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 720 - 350 мкс, - - 1,8 В. 30 май 3000vrms - - - -
SFH640-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH640-2X007 1.9400
RFQ
ECAD 5184 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH640 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,5 мкс, 5,5 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5 мкс, 6 мкс 400 м
ILD250-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD250-X009 -
RFQ
ECAD 3113 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD250 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - - 400 м
SFH628A-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH628A-3 1.2200
RFQ
ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH628 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 100% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH6286-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6286-2X001T 1.3800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6286 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 63% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
ILD1615-4 Vishay Semiconductor Opto Division ILD1615-4 1.9900
RFQ
ECAD 7002 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD1615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
SFH619A-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH619A-X009 1.3300
RFQ
ECAD 283 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH619 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 125 май 3,5 мкс, 14,5 мкс 300 1,2 В. 60 май 5300vrms 1000% @ 1MA - 4,5 мкс, 29 мкс 1,2 В.
IL4217-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL4217-X007 -
RFQ
ECAD 8548 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4217 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 60 май 5300vrms 700 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
SFH615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X001 0,2798
RFQ
ECAD 3409 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO2223 Vishay Semiconductor Opto Division VO2223 2.2600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. VO2223 Крик, 1 Трик, Власть 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В (МАКС) 50 май 5300vrms 600 900 млн 25 май Не 210 В/мкс (теп) 10 май -
VOT8026AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8026AB-VT2 0,4441
RFQ
ECAD 4391 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8026AB-VT2TR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
BRT21M-X016 Vishay Semiconductor Opto Division BRT21M-X016 -
RFQ
ECAD 1013 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) BRT21 Kuol, ur, vde 1 Триак 6-Dip - 751-BRT21M-X016 Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 400 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 3MA 35 мкс
VO615A-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-2X001 0,1190
RFQ
ECAD 6287 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH628A-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH628A-4x016 1.4100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH628 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
IL205AT Vishay Semiconductor Opto Division IL205AT 1.0800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL205 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
SFH6106-3096 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3096 -
RFQ
ECAD 3117 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH6106 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - DOSTISH 751-SFH6106-3096 Управо 1 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
VOM617A-7X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-7x001t 0,5600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе