SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
HCPL-0454#060 Broadcom Limited HCPL-0454#060 4.8300
RFQ
ECAD 4243 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0454 ТОК 1 Траншистор 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 21% @ 16ma - 200NS, 300NS -
EL817(S1)(C)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (c) (tu) -vg 0,1313
RFQ
ECAD 3115 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
FOD8802DR2 onsemi FOD8802DR2 0,7222
RFQ
ECAD 2604 0,00000000 OnSemi Optohit ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 30 май 6 мкс, 7 мкс 75 1,35 В. 20 май 2500vrms 70% @ 1MA 380% @ 1MA 6 мкс, 6 мкс 400 м
ILD66-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4X009 -
RFQ
ECAD 8473 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD66 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 2MA - - 1V
VO2601-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO2601-X007T 2.1400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO2601 ТОК 1 Откргит 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 5300vrms 1/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
FODM3021 Fairchild Semiconductor FODM3021 -
RFQ
ECAD 6653 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 BSI, CSA, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 3000 1,2 В. 60 май 3750vrms 400 70 май 300 мк (typ) Не 10 В/мкс (тип) 15 май -
HCPL-2601#320 Broadcom Limited HCPL-2601#320 -
RFQ
ECAD 2943 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта 24ns, 10ns 1,5 В. 20 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 100ns, 100ns
SFH618A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-2 1.1200
RFQ
ECAD 9955 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 1MA 125% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VOT8121AM-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8121AM-VT2 0,3842
RFQ
ECAD 8063 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,15 В. 50 май 3750vrms 800 В 100 май 250 мк (теп) Не 1 кв/мкс 10 май 30 мкс
SFH615A-3XSMT&R Isocom Components 2004 LTD SFH615A-3XSMT & R. 0,2000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - 5009-SFH615A-3XSMT & RTR Ear99 8541.49.8000 1 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,65 - 50 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
APV3111GV Panasonic Electric Works APV3111GV -
RFQ
ECAD 9343 0,00000000 Panasonic Electric Works - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили ТОК 1 Фото -доктерский 4-Ssop СКАХАТА 255-APV3111GV Управо 1 - - 15 1,47 30 май 1500vrms - - 400 мкс, 40 мкс -
VOA300-EF-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-EF-X017T 4.3500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
VOA300-EF-X019T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-EF-X019T 4.3500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
HSMP98000 Vishay Semiconductor Opto Division HSMP98000 -
RFQ
ECAD 1391 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен HSMP98 - 751-HSMP98000 Ear99 8541.49.8000 1
TLP2363(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (V4-TPL, e 1.0200
RFQ
ECAD 7454 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2363 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 10 марта / с 23ns, 7ns 1,5 В. 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP3083F(D4,LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (D4, LF4F 1.7800
RFQ
ECAD 4869 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, крхло-айдж, 5 проводников TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,15 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 600 мк В дар 2 кв/мкс (тип) 5 май -
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (e 1.9100
RFQ
ECAD 5123 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP2372 (e Ear99 8541.49.8000 125 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP2363(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (e 1.0200
RFQ
ECAD 7054 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2363 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP2363 (e Ear99 8541.49.8000 125 25 май 10 марта / с 23ns, 7ns 1,5 В. 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP1, e 0,9100
RFQ
ECAD 7614 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP2370(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (V4, e 1.7700
RFQ
ECAD 2020 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2370 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 10 май 20 марта / с 3ns, 2ns 1,5 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP2348(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (V4-TPR, e 1.1200
RFQ
ECAD 7824 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2348 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 30 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 10 марта / с 3ns, 3ns 1,55 15 май 3750vrms 1/0 30 кв/мкс 120ns, 120ns
TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (TP4, ф 1.7900
RFQ
ECAD 8342 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, крхло-айдж, 5 проводников TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,15 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 600 мк В дар 2 кв/мкс (тип) 5 май -
TLP3910(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (TP, e 3.3300
RFQ
ECAD 2010 ГОД 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP3910 ТОК 2 Фото -доктерский 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - - 24 3,3 В. 30 май 5000 дней - - 300 мкс, 100 мкс -
TLP2348(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (TPL, e 1.1200
RFQ
ECAD 6742 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2348 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 30 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 10 марта / с 3ns, 3ns 1,55 15 май 3750vrms 1/0 30 кв/мкс 120ns, 120ns
TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-TP, e 1,6000
RFQ
ECAD 2328 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2710 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 10 май 5 марта 11ns, 13ns 1,9 В (MMAKS) 8 май 5000 дней 1/0 25 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (e 0,9200
RFQ
ECAD 9029 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP628M (e Ear99 8541.49.8000 100 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP, e 2.4700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5772 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 56NS, 25NS 1,55 8 май 5000 дней 1/0 35 К/мкс 150NS, 150NS
TLP627MF(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (LF4, e 0,9200
RFQ
ECAD 8318 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP5, e 0,9200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4, e 1.9100
RFQ
ECAD 8743 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе