SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4, e 1.9100
RFQ
 ECAD 8743 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-LF4, e 1,6000
RFQ
 ECAD 3036 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2710 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 10 май 5 марта 11ns, 13ns 1,9 В (MMAKS) 8 май 5000 дней 1/0 25 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF (e 0,9100
RFQ
 ECAD 5073 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP628MF (e Ear99 8541.49.8000 100 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4LF4, e 2.6700
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5772 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - 56NS, 25NS 1,55 8 май 5000 дней 1/0 35 К/мкс 150NS, 150NS
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4, e 1.9300
RFQ
 ECAD 8018 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 10 В ~ 30 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1,65 В. 20 май 5000 дней 1/0 50 кв/мкс 200ns, 200ns
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP5, e 0,9200
RFQ
 ECAD 8716 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, e 3.3700
RFQ
 ECAD 2174 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP3910 ТОК 2 Фото -доктерский 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - - 24 3,3 В. 30 май 5000 дней - - 300 мкс, 100 мкс -
TLP387(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (D4, e 0,8700
RFQ
 ECAD 4828 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP387 ТОК 1 Дэйрлингтон 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (e 0,8000
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP388 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP388 (e Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2710(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (LF4, e 1.6200
RFQ
 ECAD 9051 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2710 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 10 май 5 марта 11ns, 13ns 1,9 В (MMAKS) 8 май 5000 дней 1/0 25 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP383(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4YH-TL, e 0,6000
RFQ
 ECAD 3131 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP383 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
VO3023-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X001 0,2596
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vo3023 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 751-VO3023-X001TR Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 5 май -
VO618A-3X018T Vishay Semiconductor Opto Division VO618A-3X018T 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 14 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
VO3021-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO3021-X006 0,2596
RFQ
 ECAD 1124 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vo3021 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 751-VO3021-X006TR Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 15 май -
VOW135-X001 Vishay Semiconductor Opto Division Vow135-x001 1.2151
RFQ
 ECAD 4528 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 751-Vow135-X001TR Ear99 8541.49.8000 1200 8 май - - 1,38 В. 25 май 5300vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma - -
VOS618A-8X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS618A-8X001T 0,6400
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 130% @ 1MA 260% @ 1MA 5 мкс, 8 мкс 400 м
VOM617A-6T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-6t 0,5700
RFQ
 ECAD 4755 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VOL618AT Vishay Semiconductor Opto Division Vol618at 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vol618a Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер DO-214AB, SMC ТОК 1 Траншистор DO-214AB (SMC) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 600% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VO617C-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-3X001 0,2330
RFQ
 ECAD 2033 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 751-VO617C-3X001TR Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VOS628A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS628A-3X001T 1.0600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vos628a Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 5 мкс, 8 мкс 400 м
PS9817A-1-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-1-V-F3-AX 4.0800
RFQ
 ECAD 8694 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PS9817 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 25 май 10 марта / с 20ns, 5ns 1,65 В. 20 май 2500vrms 1/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
SFH615A-3X016-D Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X016-D -
RFQ
 ECAD 1382 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH615A МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - DOSTISH 751-SFH615A-3X016-D Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
TLP627MF(LF2,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (LF2, e -
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP627MF (LF2E Ear99 8541.49.8000 50 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
140816140310 Würth Elektronik 140816140310 0,3800
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 732-140816140310 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,24 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA -
TLP293(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (e 0,5100
RFQ
 ECAD 3658 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP293 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 175 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
6N136-020E Broadcom Limited 6N136-020E 0,6267
RFQ
 ECAD 3491 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
TLP532(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BLL, F) -
RFQ
 ECAD 3873 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP532 (BLLF) Ear99 8541.49.8000 50
SFH6106-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3X001 0,9900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
RV1S9184QKCSP-1000#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9184QKCSP-1000#SC0 3.2594
RFQ
 ECAD 8805 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Полески Актифен RV1S9184 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20
PS2815-4-F3-L-A CEL PS2815-4-F3-LA -
RFQ
 ECAD 6659 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 4 Траншистор 16-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть