SIC
close

Иолатор (2080)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Ток - Скороп ТОК - ПИКОВОВ Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
VOL3120T Vishay Semiconductor Opto Division Vol3120t -
RFQ
 ECAD 9168 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников Vol3120 Оптишая CQC, cur, ur 1 5-LSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 2,5А, 2,5а 2.5A 100ns, 100ns 1,36 В. 25 май 5300vrms 48 К/мкс 500NS, 500NS 300NS 15 В ~ 32 В.
4N37-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 4n37-x006 0,2209
RFQ
 ECAD 1665 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
VOS617A-X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS617A-X001T 0,6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS617 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,18 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO617C-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-2X001 0,2262
RFQ
 ECAD 4504 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 751-VO617C-2X001TR Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VOA300-DEFG-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-DEFG-X007T -
RFQ
 ECAD 2479 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300-DEFG-X007T Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
SFH6345-X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X016 2.1400
RFQ
 ECAD 1023 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
SFH6747T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6747T 1.1623
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SFH6747 ТОК 1 Откргит 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 3000vrms 1/0 10 кв/мкс 100ns, 100ns
SFH615A-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X006 0,8900
RFQ
 ECAD 4077 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ615-3X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-3X009 1.4021
RFQ
 ECAD 6803 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILQ615 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
H11D1 Vishay Semiconductor Opto Division H11d1 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 100 май 5 мкс, 6 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 2,5 мкс, 5,5 мкс 400 м
CNY17-3X017 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X017 0,8000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
BRT23H-X006 Vishay Semiconductor Opto Division BRT23H-X006 -
RFQ
 ECAD 1148 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) BRT23 Kuol, ur, vde 1 Триак 6-Dip - 751-BRT23H-X006 Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
VO2631 Vishay Semiconductor Opto Division VO2631 3.2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO2631 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,42 В. 15 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
HWXX34838DF1 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX34838DF1 -
RFQ
 ECAD 9256 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX3 - 751-HWXX34838DF1 Управо 1000
IL207A-X001T Vishay Semiconductor Opto Division IL207A-X001T 0,3692
RFQ
 ECAD 9928 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL207 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
VO615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-1X001 0,4700
RFQ
 ECAD 2435 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
HWXX77038TR Vishay Semiconductor Opto Division HWXX77038TR -
RFQ
 ECAD 6972 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX7 - 751-HWXX77038TR Управо 1000
SFH6319T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6319T 1.8200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SFH6319 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 60 май - 18В 1,4 В. 20 май 4000 дней 500% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 600NS, 1,5 мкс -
CNY17-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2x016 0,8000
RFQ
 ECAD 497 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCET1203 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1203 0,1746
RFQ
 ECAD 7130 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET1203 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
4N25-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x006 0,2167
RFQ
 ECAD 2161 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
6N136-X007T Vishay Semiconductor Opto Division 6N136-X007T 1.6700
RFQ
 ECAD 680 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
4N32-X007T Vishay Semiconductor Opto Division 4n32-x007t -
RFQ
 ECAD 2152 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n32 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
TCMT4100 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT4100 2.1800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT4100 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
VOL617AT Vishay Semiconductor Opto Division Vol617at 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH615ABM-X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615ABM-X007T -
RFQ
 ECAD 9726 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
SFH6156-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-3X001T 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ2 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2 2.8300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ2 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCMT1110 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1110 0,2451
RFQ
 ECAD 3386 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1110 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
VO3021 Vishay Semiconductor Opto Division Vo3021 -
RFQ
 ECAD 6480 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Vo302 CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-Dip - 751-VO3021 Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 15 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть