SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
VOS627A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-4T 0,7200
RFQ
ECAD 7182 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 160% @ 5MA 320% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO617A-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-2X007T 0,4000
RFQ
ECAD 680 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-4. Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4. 0,1993
RFQ
ECAD 5356 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO4158M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4158M-X007T 1.4261
RFQ
ECAD 3019 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4158 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 3MA -
IL420-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X009 -
RFQ
ECAD 9400 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
VO4157M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4157M-X007T -
RFQ
ECAD 4340 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4157 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 3MA -
VOH1016AB-VT Vishay Semiconductor Opto Division Voh1016ab-vt 1.1200
RFQ
ECAD 950 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло Voh1016 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 16 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мг 50ns, 40ns 1,1 В. 50 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 2 мкс, 1,2 мкс
VO617C-3X017T1 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-3X017T1 0,2404
RFQ
ECAD 5914 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 751-VO617C-3X017T1TR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
SFH619A Vishay Semiconductor Opto Division SFH619A 1.2500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH619 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 125 май 3,5 мкс, 14,5 мкс 300 1,2 В. 60 май 5300vrms 1000% @ 1MA - 4,5 мкс, 29 мкс 1,2 В.
ILQ55-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ55-X007 -
RFQ
ECAD 1368 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ55 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 125 май 10 мкс, 35 мкс 55 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 1V
VO4257H-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4257H-X006 -
RFQ
ECAD 4262 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
VO3053 Vishay Semiconductor Opto Division VO3053 1.4200
RFQ
ECAD 885 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Vo305 Крик, 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 100 май 200 мка (теп) Не 1,5 кв/мкс 5 май -
VO3062-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO3062-X007T 1.6600
RFQ
ECAD 503 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло Vo306 Крик, 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 100 май 200 мка (теп) В дар 1,5 кв/мкс 10 май -
VO4257D-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4257D-X007T -
RFQ
ECAD 7172 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 1,6 мая -
IL4218-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL4218-X006 -
RFQ
ECAD 8619 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL4218 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
VO615C-2X019T1 Vishay Semiconductor Opto Division VO615C-2X019T1 0,2475
RFQ
ECAD 6183 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 751-VO615C-2X019T1TR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO4258H-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4258H-X007T 4.0500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 2MA -
VO4158D-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4158D-X006 -
RFQ
ECAD 5652 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4158 Cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 1,6 мая -
IL4218-X019 Vishay Semiconductor Opto Division IL4218-X019 -
RFQ
ECAD 8346 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4218 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
ILD615-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-3x016 -
RFQ
ECAD 8801 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
6N1135 Vishay Semiconductor Opto Division 6n1135 -
RFQ
ECAD 7946 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n1135 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,6 В. 25 май 5300vrms 7% @ 16ma - 300NS, 300NS -
VO4258D-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4258D-X006 -
RFQ
ECAD 8495 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 1,6 мая -
VO2223B-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO2223B-X001 2.3300
RFQ
ECAD 755 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. VO2223 cur, ur, vde 1 Трик, Власть 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 50 1,4 В (МАКС) 50 май 4470vrms 600 1 а 25 май Не 600 v/mks (typ) 10 май -
IL410-X019T Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X019T -
RFQ
ECAD 2121 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL410 CSA, UR, VDE 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
VOM3052 Vishay Semiconductor Opto Division Vom3052 -
RFQ
ECAD 3971 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000
SFH610A-1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-1 1.1000
RFQ
ECAD 3685 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOT8024AD Vishay Semiconductor Opto Division WAT8024AD 0,4219
RFQ
ECAD 6937 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VOT8024 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
TCLT1113 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1113 0,8300
RFQ
ECAD 7451 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1113 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO615C-2X019T Vishay Semiconductor Opto Division VO615C-2X019T 0,2627
RFQ
ECAD 7210 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 751-VO615C-2X019TTR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6 мкс, 4 мкс 400 м
IL755-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL755-1x001 2.0000
RFQ
ECAD 1481 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL755 AC, DC 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 - 50 мкс, 50 ​​мкс 60 1,2 В. 60 май 5300vrms 750% @ 2MA - - 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе