SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDDAK960TDT-1AW15ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW15ABYY TR -
RFQ
ECAD 5694 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА DOSTISH 557-MTFDDAK960TDT-1AW15ABYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT18HTF25672FDZ-667H1D6 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDZ-667H1D6 -
RFQ
ECAD 6787 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MTA18ASF1G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 9262 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 4A994A 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
MT4VDDT3264WG-265C1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264WG-265C1 -
RFQ
ECAD 4739 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 172-й-джания MT4VDDT - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 266
MT4JSF12864HZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT4JSF12864HZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 7730 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm MT4JSF - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MT18VDDF12872DG-40BF1 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872DG-40BF1 164.7592
RFQ
ECAD 5230 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT9VDDT3272AG-262G4 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272AG-262G4 -
RFQ
ECAD 6404 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 266
MTFDDAK1T0MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T0MBF-1AN12ABYY -
RFQ
ECAD 2764 0,00000000 Micron Technology Inc. M600 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,29 Унигии (65,25 g) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1 2.5 " 560 мБ/с 510 мБ/с -
MTFDDAK960TDC-1AT16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDC-1AT16ABYY -
RFQ
ECAD 4814 0,00000000 Micron Technology Inc. 5200 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 5 В, 12 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTA4ATF51264AZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264AZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 7239 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 288-й MTA4ATF51264 СКАХАТА Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4 гб 3200
MT18KSF1G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 5951 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MTFDKCB1T9TFR-1BC4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB1T9TFR-1BC4ZABYY -
RFQ
ECAD 3136 0,00000000 Micron Technology Inc. 7400 МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDKCB1T9TFR-1BC4ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 6,5 -gb/s 2,2 -gb/s -
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABFA 225.0720
RFQ
ECAD 1586 0,00000000 Micron Technology Inc. 1300 МАССА Актифен - - SATA III MTFDDAK1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 2.5 " 530 мБ/с 520 мБ/с -
MT16HTF12864HY-667B3 Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-667B3 -
RFQ
ECAD 7515 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MT9HTF6472AY-53ED4 Micron Technology Inc. MT9HTF6472AY-53ED4 -
RFQ
ECAD 4574 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
MT18HTF25672FDZ-667H1N8 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDZ-667H1N8 117.4428
RFQ
ECAD 8996 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT8HTF12864HDY-53ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDY-53ED3 2.0000
RFQ
ECAD 7812 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT8HTF12864HDY-40ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDY-40ED3 -
RFQ
ECAD 4219 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 400
MT9VDDT3272PHIY-335M1 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272PHIY-335M1 -
RFQ
ECAD 5013 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 256 мБ 333
MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY TR Micron Technology Inc. Mtfddak3t8tdt-1AW15abyy tr -
RFQ
ECAD 1664 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT18VDVF12872G-40BF1 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872G-40BF1 324.5509
RFQ
ECAD 5213 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT9VDVF6472G-335F1 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472G-335F1 148.7609
RFQ
ECAD 6554 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT5HTF3272KY-53EB2 Micron Technology Inc. MT5HTF3272KY-53EB2 -
RFQ
ECAD 9489 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 533
MT36HTS51272FY-667A2D3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-667A2D3 -
RFQ
ECAD 4267 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 7473 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C -
RFQ
ECAD 8433 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C Управо 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MT16HTF12864AY-53ED4 Micron Technology Inc. MT16HTF12864AY-53ED4 -
RFQ
ECAD 2185 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT4HTF6464HZ-800M1 Micron Technology Inc. MT4HTF6464HZ-800M1 -
RFQ
ECAD 8347 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm MT4HTF - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 800
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264AZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 5850 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й MTA4ATF51264 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4 гб 2666
MT8HTF6464AY-40EB8 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-40EB8 -
RFQ
ECAD 5488 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 240-й днаний - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе