SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDHBA256TDV-1AY12ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDHBA256TDV-1AY12ABYY TR -
RFQ
ECAD 1761 0,00000000 Micron Technology Inc. 2300 Lenta и катахка (tr) Управо - 80,00 мм x 22,00 мм Nvme - - - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTFDHBA256TDV-1AY12ABYYTR Управо 1000 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 1,4 -gb/s -
MTFDKBA256TFK-1BC1AABYY TR Micron Technology Inc. MTFDKBA256TFK-1BC1AABYY TR -
RFQ
ECAD 3057 0,00000000 Micron Technology Inc. 3400 Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDKBA256TFK-1BC1AABYYTR 1000
MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 9329 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-lrdimm - 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64 -й 3200
MTA36ASF2G72PZ-2G6F1 Micron Technology Inc. MTA36ASF2G72PZ-2G6F1 -
RFQ
ECAD 5484 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM - 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF2G72PZ-2G6F1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTA18ADF2G72AZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA18ADF2G72AZ-3G2R1 123,3450
RFQ
ECAD 4388 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 288-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA18ADF2G72AZ-3G2R1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 -
RFQ
ECAD 5831 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM - 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY -
RFQ
ECAD 7668 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme - - - 557-MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY Управо 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 2,7 -gb/s -
MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY 87.8700
RFQ
ECAD 253 0,00000000 Micron Technology Inc. 3400 МАССА Прохл - - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY 3A991B1A 8523.51.0000 180 - 512 gb М.2 Модуль - - -
MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY -
RFQ
ECAD 3535 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme - - - 557-MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY Управо 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 2,7 -gb/s -
MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY -
RFQ
ECAD 9677 0,00000000 Micron Technology Inc. 5210 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY Управо 5 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 360 мБ/с -
MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY -
RFQ
ECAD 6406 0,00000000 Micron Technology Inc. 5210 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY Управо 5 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 260 мБ/с -
MTA9ASF1G72PZ-2G9J3 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G9J3 -
RFQ
ECAD 9184 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2933
MTSD064AQC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD064AQC6MS-2WTCS -
RFQ
ECAD 9262 0,00000000 Micron Technology Inc. * Поднос Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTSD064AQC6MS-2WTCS Управо 120
MTSD032AQC6MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD032AQC6MS-1WTCS -
RFQ
ECAD 2324 0,00000000 Micron Technology Inc. * Поднос Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTSD032AQC6MS-1WTCS Управо 120
MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 4269 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 Управо 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 185.2500
RFQ
ECAD 8548 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 -
RFQ
ECAD 7021 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 Управо 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 -
RFQ
ECAD 8185 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 Управо 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2933
MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 -
RFQ
ECAD 4242 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 Управо 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2933
MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 -
RFQ
ECAD 5098 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 Управо 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 -
RFQ
ECAD 8349 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 Управо 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 37.2450
RFQ
ECAD 7914 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1 185.2500
RFQ
ECAD 8438 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MTA9ASF2G72PZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA9ASF2G72PZ-3G2F1 129 6500
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA9ASF2G72PZ-3G2F1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C -
RFQ
ECAD 8433 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C Управо 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTSD064AQC6MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD064AQC6MS-1WTCS -
RFQ
ECAD 7858 0,00000000 Micron Technology Inc. * МАССА Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTSD064AQC6MS-1WTCS Управо 1
MTSD064APC7MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD064APC7MS-1WTCS -
RFQ
ECAD 8722 0,00000000 Micron Technology Inc. * МАССА Управо - 557-MTSD064APC7MS-1WTCS Управо 1
MTSD032AQC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD032AQC6MS-2WTCS -
RFQ
ECAD 8868 0,00000000 Micron Technology Inc. * МАССА Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTSD032AQC6MS-2WTCS Управо 1
MTSD256AHC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD256AHC6MS-2WTCS -
RFQ
ECAD 9204 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. TLC - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTSD256AHC6MS-2WTCS Управо 1 Клас 10 MicroSD ™ 256 gb
MTSD032AHC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD032AHC6MS-2WTCS -
RFQ
ECAD 7117 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. TLC - 557-MTSD032AHC6MS-2WTCS Управо 1 Клас 10 MicroSD ™ 32 gb
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе