SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 -
RFQ
ECAD 5743 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA18 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 4292 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAV480 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb М.2 Модуль 540 мБ/с 410 мБ/с -
MTFDHBE1T9TDF-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdhbe1t9tdf-1AW1Zabyy -
RFQ
ECAD 9733 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme Mtfdhbe1 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBE1T9TDF-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 3 гб/с 1,5 -gb/s -
MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdhbe3t8tdf-1Aw1zabyy -
RFQ
ECAD 3937 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme Mtfdhbe3 - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 3 гб/с 1,8 -gb/s -
MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 8907 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм x 22,00 мм Nvme MTFDHBA800 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 800 -е М.2 Модуль 2,4 -gb/s 700 мБ/с -
MTA18ASF2G72PDZ-2G6J1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G6J1 -
RFQ
ECAD 8753 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM MTA18 СКАХАТА Rohs3 557-MTA18ASF2G72PDZ-2G6J1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 3234 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III Mtfddav1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 М.2 Модуль 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDHBA512TCK-1AS15AFYY Micron Technology Inc. Mtfdhba512tck-1as15afyy -
RFQ
ECAD 9438 0,00000000 Micron Technology Inc. * МАССА Управо MTFDHBA512 - 557-MTFDHBA512TCK-1as15afyy 3A991B1A 8471.70.6000 10
MTSD1T0AKC7MS-1WTCS Micron Technology Inc. Mtsd1t0akc7ms-1wtcs -
RFQ
ECAD 6381 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. Mtsd1 QLC СКАХАТА Rohs3 557-MTSD1T0AKC7MS-1WTCS Ear99 8523.51.0000 1 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSDXC ™ 1
MTA18ASF2G72HBZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72HBZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 8401 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 260-Sodimm СКАХАТА 557-MTA18ASF2G72HBZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTFDDAK3T8TDS-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK3T8TDS-1AW16ABYY -
RFQ
ECAD 3890 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK3 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 5296 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK7 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTA36ASF8G72PZ-2G9B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72PZ-2G9B1 -
RFQ
ECAD 5894 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM MTA36 СКАХАТА 557-MTA36ASF8G72PZ-2G9B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64 -й 2933
MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 2543 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA400 - 3,3 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 400 -дюймовый М.2 Модуль 1,3 -gb/s 400 мБ/с -
MTFDDAK960TDT-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW16ABYY -
RFQ
ECAD 8554 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK960 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK960TDT-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDDAK960TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 2213 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK960 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK960TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 -
RFQ
ECAD 7510 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM MTA36 СКАХАТА Rohs3 557-MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64 -й 2933
MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 269.8500
RFQ
ECAD 49 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM MTA36 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64 -й 2933
MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 7234 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK3 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTSD1T0AKC7MS-1WT Micron Technology Inc. Mtsd1t0akc7ms-1wt 261.8500
RFQ
ECAD 5230 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. Mtsd1 QLC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTSD1T0AKC7MS-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 120 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSDXC ™ 1
MTA9ADF2G72AZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF2G72AZ-3G2B1 152.4538
RFQ
ECAD 6176 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MTA9ADF2 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA9ADF2G72AZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100
MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 210.3000
RFQ
ECAD 6951 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Прохл 288-RDIMM MTA18 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTFDDAV240TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV240TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 1582 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAV240 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAV240TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 М.2 Модуль 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 1221 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 260-Sodimm MTA4ATF1 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 5416 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK3 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY 162.3200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAV240 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 М.2 Модуль 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 6298 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm MTA16 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 134.9458
RFQ
ECAD 1472 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Прохл 288-RDIMM MTA36 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY -
RFQ
ECAD 3413 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme MTFDHBE800 - 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 800 -е 2.5 " 2,4 -gb/s 700 мБ/с -
MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 2866 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 260-Sodimm СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе