SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT18HTF25672PZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 6199 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 -
RFQ
ECAD 8185 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 Управо 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2933
MTFDGAL350SAH-1N3AB Micron Technology Inc. MTFDGAL350SAH-1N3AB -
RFQ
ECAD 7624 0,00000000 Micron Technology Inc. P320H Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - - - 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 4 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND 350 -gb 2.5 " 1,75 gb/s - -
MT9JDF25672AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT9JDF25672AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 6413 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MT36KDS2G72PDZ-1G4N2 Micron Technology Inc. MT36KDS2G72PDZ-1G4N2 -
RFQ
ECAD 6859 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 16 гр 1333
MTA18ASF1G72PDZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PDZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 5073 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT8VDDT12832UY-6F1 Micron Technology Inc. MT8VDDT12832UY-6F1 -
RFQ
ECAD 1864 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 100-Udimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MTA9ASF1G72HZ-3G2E4 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72HZ-3G2E4 100 9200
RFQ
ECAD 2043 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Коробка Прохл 260-Sodimm СКАХАТА 557-MTA9ASF1G72HZ-3G2E4 1 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MT36HTF25672FY-53EB3E3 Micron Technology Inc. MT36HTF25672FY-53EB3E3 -
RFQ
ECAD 1440 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 533
MT8HTF6464AY-667B3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-667B3 -
RFQ
ECAD 2372 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MT9HTF12872FZ-667H1D4 Micron Technology Inc. MT9HTF12872FZ-667H1D4 -
RFQ
ECAD 7021 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MT4VDDT3264AY-40BJ1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264AY-40BJ1 -
RFQ
ECAD 3059 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm MT4VDDT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 100 DDR SDRAM 256 мБ 400
MT16HTF25664HZ-667H1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664HZ-667H1 -
RFQ
ECAD 6991 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MTA9ASF1G72PKIZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PKIZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8734 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-Minirdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MT8HTF6464AY-40EB9 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-40EB9 -
RFQ
ECAD 3989 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT9KSF25672AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT9KSF25672AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 6334 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1600
MTFDDAK128SBD-1AK12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK128SBD-1AK12ITYY -
RFQ
ECAD 8089 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,65 Unshiky (75,51 g) - Rohs3 DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (slc) 128 gb 2.5 " 500 мБ/с 400 мБ/с -
MT36HTF25672FY-667B3E3 Micron Technology Inc. MT36HTF25672FY-667B3E3 -
RFQ
ECAD 9286 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT8HTF12864HZ-800H1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HZ-800H1 -
RFQ
ECAD 8952 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT8LSDT1664HY-13EL1 Micron Technology Inc. MT8LSDT1664HY-13EL1 -
RFQ
ECAD 6004 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 128 мБ 133
MTFDHBL512TDQ-AAT12ATYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbl512tdq-aat12atyyes -
RFQ
ECAD 6153 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb BGA 2 гб/с 1,55 -gb/s -
MT4HTF3264HY-667B3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-667B3 -
RFQ
ECAD 3342 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MTA4ATF51264HZ-3G2J1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-3G2J1 -
RFQ
ECAD 9427 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 260-Sodimm MTA4ATF51264 - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4 гб 3200
MT8KTF51264HZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 2279 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MTA18ASF1G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 3761 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MT18JSF51272AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 2977 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT16HTF25664HIZ-667H1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664HIZ-667H1 -
RFQ
ECAD 4144 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT9KSF12872AZ-1G4G1 Micron Technology Inc. MT9KSF12872AZ-1G4G1 -
RFQ
ECAD 8479 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR3L SDRAM 1 год 1333
MT18VDDF12872Y-40BD3 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872Y-40BD3 -
RFQ
ECAD 1447 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MTFDCAE001SAF-1D1 Micron Technology Inc. MTFDCAE001SAF-1D1 -
RFQ
ECAD 8580 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 1 год -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе