SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA18ASF1G72PF1Z-2G1T12AA Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PF1Z-2G1T12AA -
RFQ
ECAD 7858 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-NVDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MTEDCAR004SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. Mtedcar004saj-1n2it -
RFQ
ECAD 2513 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MT8JTF12864AZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT8JTF12864AZ-1G6G1 39.1325
RFQ
ECAD 5402 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1000 DDR3 SDRAM 1 год 1600
MT18VDDT12872AY-335D1 Micron Technology Inc. MT18VDDT12872AY-335D1 -
RFQ
ECAD 5592 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT9HTF6472Y-53ED4 Micron Technology Inc. MT9HTF6472Y-53ED4 -
RFQ
ECAD 4538 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
MT9HTF3272PY-667B1 Micron Technology Inc. MT9HTF3272PY-667B1 -
RFQ
ECAD 3735 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MTA8ATF1G64HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64HZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 4958 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MT36HTS51272FY-53EA3D3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-53EA3D3 2.0000
RFQ
ECAD 6790 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 533
MT16LSDF6464HY-133G1 Micron Technology Inc. MT16LSDF6464HY-133G1 -
RFQ
ECAD 1170 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 SDRAM 512 мБ 133
MTA18ASF2G72PDZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 3341 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MT18JDF1G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 8913 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MT9VDDF6472G-335D3 Micron Technology Inc. MT9VDDF6472G-335D3 -
RFQ
ECAD 8871 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512 мБ 167
MT18HTF12872PY-667D2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PY-667D2 -
RFQ
ECAD 8956 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MTA16ATF2G64HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64HZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 7301 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MT9HTF12872PZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872PZ-80EM1 -
RFQ
ECAD 4252 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 7473 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTFDCAE004SAF-1B1IT Micron Technology Inc. MTFDCAE004SAF-1B1IT 79 7604
RFQ
ECAD 8630 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MT9HTF6472AY-53ED4 Micron Technology Inc. MT9HTF6472AY-53ED4 -
RFQ
ECAD 4574 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 TR Micron Technology Inc. MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 TR -
RFQ
ECAD 6269 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5TR Управо 0000.00.0000 2000 - - -
MT8VDDT3264AY-335K1 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AY-335K1 45 9469
RFQ
ECAD 7743 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 256 мБ 333
MT18JSF51272AZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272AZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 7393 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT8HTF6464HY-667B3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HY-667B3 -
RFQ
ECAD 4313 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MT8LSDT1664HY-13EG3 Micron Technology Inc. MT8LSDT1664HY-13EG3 -
RFQ
ECAD 6291 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 128 мБ 133
MT18JSF51272AZ-1G9K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272AZ-1G9K1 68.3285
RFQ
ECAD 1151 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 240-й днаний MT18JSF51272 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1866
MTA8ATF1G64HZ-2G3B2 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64HZ-2G3B2 -
RFQ
ECAD 8834 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 260-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
MT18KDF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 6402 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT9HTF6472AY-800D1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472AY-800D1 -
RFQ
ECAD 9521 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 800
MTFDDAK1T9TDS-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9TDS-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 3283 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА DOSTISH 557-MTFDDAK1T9TDS-1AW1ZTAYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTA36ASF4G72PZ-2G1H1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G1H1 -
RFQ
ECAD 7434 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 32 gb 2133
MTA16ATF2G64HZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64HZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 2778 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе