SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT9JBF25672AKZ-1G4K2 Micron Technology Inc. MT9JBF25672AKZ-1G4K2 -
RFQ
ECAD 3176 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 244-Miniudimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MT4VDDT1664HY-40BK1 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664HY-40BK1 -
RFQ
ECAD 2671 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm MT4VDDT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 DDR SDRAM 128 мБ 400
MT16VDDF12864HY-40BJ1 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-40BJ1 -
RFQ
ECAD 8677 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT18KSF1G72PZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 3431 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1333
MT18HTF25672FDY-53EA5D3 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDY-53EA5D3 935.8867
RFQ
ECAD 6941 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 533
MT18VDDF12872HY-335J1 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872HY-335J1 -
RFQ
ECAD 1827 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT18JSF51272PKIZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PKIZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 4546 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTFDDAK960TDS-1AW16HCYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW16HCYY -
RFQ
ECAD 4287 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK960TDS-1AW16HCYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT18JSF51272PDZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PDZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 1387 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT18VDVF12872DY-335F4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DY-335F4 -
RFQ
ECAD 8498 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT18LSDF6472G-133D1 Micron Technology Inc. MT18LSDF6472G-133D1 -
RFQ
ECAD 4289 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 168 лет СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 512 мБ 133
MT8VDDT3264HY-335G3 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264HY-335G3 -
RFQ
ECAD 1631 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 333
MT9HTF6472Y-40EB2 Micron Technology Inc. MT9HTF6472Y-40EB2 -
RFQ
ECAD 2858 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT18KSF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 5886 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT9HTF3272PY-40EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF3272PY-40EB1 80.7591
RFQ
ECAD 3366 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 400
MT18VDDF12872Y-335F1 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872Y-335F1 -
RFQ
ECAD 7095 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 166
MT8HTF3264HY-667B3 Micron Technology Inc. MT8HTF3264HY-667B3 112 8103
RFQ
ECAD 1445 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MT9HTF12872AY-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872AY-53EA1 -
RFQ
ECAD 5863 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT36KSF2G72PZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6N1 -
RFQ
ECAD 1724 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MT16VDDF12864HY-40BF2 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-40BF2 -
RFQ
ECAD 8964 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT18HTF25672DY-40ED1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672DY-40ED1 -
RFQ
ECAD 1340 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 400
MT9HTF12872Y-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872Y-53EA1 -
RFQ
ECAD 9964 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT16JSF51264HZ-1G1D1 Micron Technology Inc. MT16JSF51264HZ-1G1D1 -
RFQ
ECAD 4578 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1066
MT4HTF3264AY-40EB2 Micron Technology Inc. MT4HTF3264AY-40EB2 -
RFQ
ECAD 5534 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 400
MT8KTF51264HZ-1G9E2 Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G9E2 -
RFQ
ECAD 4835 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1866
MT16HTF12864AY-40ED4 Micron Technology Inc. MT16HTF12864AY-40ED4 -
RFQ
ECAD 7823 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 400
MT18KDF1G72PDZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72PDZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 8811 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MTA18ASF2G72PDZ-2G3A1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G3A1 -
RFQ
ECAD 1836 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2400
MTEDCBR008SAJ-1N2 Micron Technology Inc. Mtedcbr008saj-1n2 -
RFQ
ECAD 4158 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MT16JTF51264AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT16JTF51264AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 1333 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе