Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Raboч -yemperatura | Raзmer / yзmerenee | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Тела | МАССА | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Скороп | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Форм -Фактор | Скороп | СКОРЕСТА - НАПИАНА | ТОК - МАКС | SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 | - | ![]() | 7021 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | Поднос | Управо | 288-RDIMM | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 | Управо | 100 | DDR4 SDRAM | 8 gb | 3200 | |||||||||||||||
![]() | MTSD032AHC6MS-2WTCS | - | ![]() | 7117 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C. | TLC | - | 557-MTSD032AHC6MS-2WTCS | Управо | 1 | Клас 10 | MicroSD ™ | 32 gb | ||||||||||||||||
![]() | MT18HVS51272PKY-667A1 | - | ![]() | 1937 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 244-Minirdimm | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR2 SDRAM | 4 гб | 667 | ||||||||||||||
![]() | MT36VDDF25672G-335D2 | - | ![]() | 8541 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Управо | 184-RDIMM | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 557-1119 | Ear99 | 8473.30.1140 | 1 | DDR SDRAM | 2 гр | 167 | ||||||||||||||
![]() | MT16VDDT6464AG-265GB | - | ![]() | 3869 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | 184-Udimm | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR SDRAM | 512 мБ | 266 | ||||||||||||||
![]() | MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYY TR | - | ![]() | 4152 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм | SATA III | - | 5 В, 12 В. | СКАХАТА | DOSTISH | 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYYTR | Управо | 1 | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) | 3,84 | 2.5 " | 540 мБ/с | 520 мБ/с | - | |||||||||
![]() | MT9KSF25672AZ-1G6K1 | - | ![]() | 6334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 240-й днаний | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3L SDRAM | 2 гр | 1600 | ||||||||||||||
![]() | MTFDDAK512TBN-1AR1ZABDA | - | ![]() | 5253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 1100 | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм | SATA III | MTFDDAK512 | 1,98 Унигии (56 Г) | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | DOSTISH | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) | 512 gb | 2.5 " | 530 мБ/с | 500 мБ/с | - | |||||||
![]() | MtedCBE008SAJ-1N2 | - | ![]() | 2125 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | Модул | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | Flash - nand (SLC) | 8 gb | - | ||||||||||||||
![]() | MT36HTF51272FZ-667H1D6 | - | ![]() | 6128 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 240-FBDIMM | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR2 SDRAM | 4 гб | 667 | |||||||||||||||
![]() | MTFDDAK1T9TDT-1AW15TAYY | - | ![]() | 4259 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 5300 | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм | SATA III | - | 5 В, 12 В. | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW15TAYY | Управо | 1 | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) | 1,92 | 2.5 " | 540 мБ/с | 520 мБ/с | - | |||||||
![]() | MT8HTF25664AZ-667C1 | 62 8097 | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | 240-й днаний | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR2 SDRAM | 2 гр | 667 | ||||||||||||||
![]() | MT9HTF12872FZ-667H1N8 | 73 5846 | ![]() | 1091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | 240-FBDIMM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 100 | DDR2 SDRAM | 1 год | 667 | ||||||||||||||
![]() | MT18VDDT6472AG-265G4 | - | ![]() | 2308 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | 184-Udimm | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR SDRAM | 512 мБ | 266 | ||||||||||||||
![]() | MT36HTF25672FY-53EB3E3 | - | ![]() | 1440 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 240-FBDIMM | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR2 SDRAM | 2 гр | 533 | ||||||||||||||
![]() | MT16LSDT3264AG-133G3 | - | ![]() | 8699 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Управо | 168 лет | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM | 256 мБ | 133 | |||||||||||||||
![]() | MT18HVF25672PDZ-80EM1 | - | ![]() | 8710 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | 240-RDIMM | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR2 SDRAM | 2 гр | 800 | ||||||||||||||
![]() | MTSD512ANC8MS-1WT | 119 6550 | ![]() | 9902 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C. | - | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 557-MTSD512ANC8MS-1WT | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | Клас 10, Клас Эхс 3 | MicroSD ™ | 512 gb | |||||||||||||
![]() | MTFDDAK3T8TDC-1AT16ABYY | - | ![]() | 7188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 5200 | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм | SATA III | 5 В, 12 В. | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 5 | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) | 3,84 | 2.5 " | 540 мБ/с | 520 мБ/с | - | |||||||||
![]() | MT8KTF51264AZ-1G9E1 | - | ![]() | 6764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 240-й днаний | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3L SDRAM | 4 гб | 1866 | |||||||||||||||
SMC04GBFK6E | - | ![]() | 7479 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | -SMC04GBFK6E | Ear99 | 8523.51.0000 | 198 | - | Compactflash® | 4 гб | |||||||||||||
![]() | MTSD032AQC6MS-2WTCS | - | ![]() | 8868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | МАССА | Управо | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MTSD032AQC6MS-2WTCS | Управо | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MTA001A08BA-001 | - | ![]() | 6301 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | MTA18ASF1G72PF1Z-2G1T12AA | - | ![]() | 7858 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 288-NVDIMM | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 50 | DDR4 SDRAM | 8 gb | 2133 | ||||||||||||||
![]() | MTFDHAK1T9MCH-1AN15ABYY | - | ![]() | 4419 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 7100 | Коробка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм | Nvme | 3,17 Унигии (90 г) | 12 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1 | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) | 1,92 | 2.5 " | 2,5 -gb/s | 900 мБ/с | - | ||||||||
![]() | MTC20C2085S1TC48BA1 | 290.8500 | ![]() | 1746 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | DDR5 SDRAM | Коробка | Актифен | 262-Sodimm | - | 557-MTC20C2085S1TC48BA1 | 1 | DDR5 SDRAM | 32 gb | - | ||||||||||||||||||
![]() | MTA36ASS4G72PF1Z-2G9PR1AB | 969.0000 | ![]() | 6450 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | 288-NVDIMM | MTA36 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8473.30.1140 | 60 | DDR4 SDRAM | 32 gb | 2933 | |||||||||||||
![]() | MTFDHAL800MCE-1AN1ZABYY | - | ![]() | 3011 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 9100 | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C. | 100,50 мм x 69,85 мм х 15,00 мм | Nvme | - | 12 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 4 | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) | 800 -е | U.2 momodooly | 2,1 gb/s | 650 мБ/с | - | |||||||
![]() | MTFDHBK256TDP-1AT12AIY | 163,5000 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | 2100AI | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C. | - | Nvme | MTFDHBK256 | - | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 1 | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) | 256 gb | М.2 Модуль | 2 гб/с | 850 мБ/с | - | |||||||
![]() | MTA9ADF1G72AKIZ-2G6B1 | - | ![]() | 5006 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 288-Miniudimm | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 100 | DDR4 SDRAM | 8 gb | 2666 |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе