SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA9ASF2G72PZ-2G9E1 Micron Technology Inc. MTA9ASF2G72PZ-2G9E1 -
RFQ
ECAD 8783 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 557-MTA9ASF2G72PZ-2G9E1 Управо 1 DDR4 SDRAM 16 гр 2933
MTA608ALQ64G72M2SZ-1S6G1B5 TR Micron Technology Inc. MTA608ALQ64G72M2SZ-1S6G1B5 TR -
RFQ
ECAD 9595 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) MTA608ALQ64G72M2SZ-1S6G1B5TR Управо 0000.00.0000 2000 - - -
MTFDHBA400TDG-1AW12ABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA400TDG-1AW12ABYY -
RFQ
ECAD 1012 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBA400TDG-1AW12ABYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 400 -дюймовый М.2 Модуль 1,3 -gb/s 425 мБ/с -
MT9HTF6472PKY-53EB3 Micron Technology Inc. MT9HTF6472PKY-53EB3 -
RFQ
ECAD 1126 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
MT18HTF25672Y-667A6 Micron Technology Inc. MT18HTF25672Y-667A6 1.0000
RFQ
ECAD 2601 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MTA18ADF4G72PZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA18ADF4G72PZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 3468 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 288-RDIMM MTA18 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MTEDFAE008SCA-1P2 Micron Technology Inc. Mtedfae008sca-1p2 -
RFQ
ECAD 6313 0,00000000 Micron Technology Inc. EU500 Поднос Управо Модул Mtedfae008 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTFDDAK7T6TDC-1AT1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6TDC-1AT1ZABYY -
RFQ
ECAD 1378 0,00000000 Micron Technology Inc. 5200 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDJAK400MBT-2AN16ABYY Micron Technology Inc. MTFDJAK400MBT-2AN16ABYY -
RFQ
ECAD 4765 0,00000000 Micron Technology Inc. S630DC МАССА Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 100,24 мм x 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 400 -дюймовый 2.5 " 1,4 -gb/s 490 мБ/с -
MT8HTF6464HDY-40ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-40ED3 -
RFQ
ECAD 9922 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MTSD512AKC7MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD512AKC7MS-1WTCS -
RFQ
ECAD 4794 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. MTSD512 QLC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTSD512AKC7MS-1WTCS Ear99 8523.51.0000 1 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSDXC ™ 512 gb
MTA36ADS4G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA36ADS4G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 5013 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2400
MTA18ASF4G72PDZ-3G2B2 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72PDZ-3G2B2 249.8600
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-RDIMM MTA18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 557-MTA18ASF4G72PDZ-3G2B2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MT36JSF1G72PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT36JSF1G72PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 1250 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1333
MT18HVS51272PKZ-667C1 Micron Technology Inc. MT18HVS51272PKZ-667C1 -
RFQ
ECAD 2793 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 244-Minirdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MT8HTF6464AY-800D1 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-800D1 107.4080
RFQ
ECAD 6086 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 800
MTFDDAK128TBN-1AR12ABCA Micron Technology Inc. MTFDDAK128TBN-1AR12ABCA 70.7656
RFQ
ECAD 5554 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - - - MTFDDAK128 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 - - - - - -
MT18JSF1G72PDZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PDZ-1G9E1 -
RFQ
ECAD 2214 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1866
MTA9ASF2G72AZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA9ASF2G72AZ-3G2F1 -
RFQ
ECAD 2677 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA9ASF2G72AZ-3G2F1 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA16ATF4G64HZ-2G6B3 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64HZ-2G6B3 -
RFQ
ECAD 7309 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm MTA16 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64HZ-2G6B3 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTA9ASF51272AZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 8483 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4 гб 2400
MT16HTF25664HY-667E1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664HY-667E1 -
RFQ
ECAD 9279 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1345 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MTFDHBM1T0TDQ-AAT12ATYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbm1t0tdq-aat12atyyes -
RFQ
ECAD 7795 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 BGA 2 гб/с 1,75 gb/s -
MTFDHAX1T6MCE-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHAX1T6MCE-1AN1ZABYY -
RFQ
ECAD 6774 0,00000000 Micron Technology Inc. 9100 МАССА Управо 0 ° C ~ 85 ° C. 167,65 мм x 18,74 мм x 68,89 мм Nvme - 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 10 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1,6 Ххl 2,8 gb/s 1,3 -gb/s -
MTA18ASF1G72PF1Z-2G3T12AB Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PF1Z-2G3T12AB -
RFQ
ECAD 3183 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-NVRDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
MTFDJAK960MBT-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDJAK960MBT-2AN1ZABYY -
RFQ
ECAD 3612 0,00000000 Micron Technology Inc. S630DC МАССА Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 100,24 мм x 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 960 gb 2.5 " 1,7 -gb/s 850 мБ/с -
MTSD128AHC6MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD128AHC6MS-1WTCS -
RFQ
ECAD 7262 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -25 ° C ~ 85 ° C. - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 120 Клас 10, Клас 1 Клас 1 MicroSD ™ 128 gb
MTFDDAK240TDS-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW16ABYY -
RFQ
ECAD 9376 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - SATA III MTFDDAK240 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK240TDS-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 2.5 " 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTA8ATF2G64HZ-3G2E2 Micron Technology Inc. MTA8ATF2G64HZ-3G2E2 -
RFQ
ECAD 9079 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA144ASQ32G72LSZ-3S2B1 Micron Technology Inc. MTA144ASQ32G72LSZ-3S2B1 4.0000
RFQ
ECAD 4515 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MTA144 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA144ASQ32G72LSZ-3S2B1 Ear99 8473.30.1140 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе