SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT36LSDT25672G-13EC2 Micron Technology Inc. MT36LSDT25672G-13EC2 1.0000
RFQ
ECAD 6090 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 2 гр 133
MTFDDAK1T0TBN-1AR1ZTAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T0TBN-1AR1ZTAYY -
RFQ
ECAD 1819 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 1,98 Унигии (56 Г) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 2.5 " 530 мБ/с 500 мБ/с -
MTA8ATF1G64AZ-2G3A1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G3A1 -
RFQ
ECAD 3440 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
MT18HTF25672FY-667A5D3 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FY-667A5D3 -
RFQ
ECAD 1761 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT18JSF51272PDZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PDZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 2352 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT36KDZS2G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT36KDZS2G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 6271 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MT36KSF2G72PZ-1G4P1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G4P1 -
RFQ
ECAD 5027 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 гр 1333
MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYY TR Micron Technology Inc. Mtfdhbm1t0tdp-1at12aiyy tr 491.5200
RFQ
ECAD 3154 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. 20,00 мм x 16,00 мм х 1,60 мм Nvme - - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYYTR 1000 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 BGA 2 гб/с 1,8 -gb/s -
MTFDHAL3T8TDP-1AT1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdhal3t8tdp-1at1zabyy -
RFQ
ECAD 6940 0,00000000 Micron Technology Inc. 9300 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм x 70,10 мм х 15,00 мм Nvme MTFDHAL3 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 U.2 momodooly 3,5 -gb/s 3,1 -gb/s -
MTFDDAK480TDS-1AW16HCYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1AW16HCYY -
RFQ
ECAD 3531 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK480TDS-1AW16HCYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb 2.5 " 540 мБ/с 410 мБ/с -
MT8HTF12864HDZ-800M1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDZ-800M1 -
RFQ
ECAD 4361 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT9HVF12872PKZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT9HVF12872PKZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 6784 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT18HTF12872PDY-80ED2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PDY-80ED2 -
RFQ
ECAD 8790 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT9VDDF6472Y-335J1 Micron Technology Inc. MT9VDDF6472Y-335J1 -
RFQ
ECAD 1494 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MTFDDAV240TCB-1AR16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV240TCB-1AR16ABYY -
RFQ
ECAD 9726 0,00000000 Micron Technology Inc. 5100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,80 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 5A002A1 8471.70.6000 100 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 М.2 Модуль 540 мБ/с 250 мБ/с -
MTFDDAK060MBD-2AH12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK060MBD-2AH12ITYY -
RFQ
ECAD 4433 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,64 Унигии (75,22 g) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1645 3A991B1A 8471.70.6000 1 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 60 2.5 " 500 мБ/с 130 мБ/с -
MTA4ATF51264AZ-2G3H1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264AZ-2G3H1 -
RFQ
ECAD 5855 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 4 гб 2400
MT36JDZS2G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT36JDZS2G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 4346 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 16 гр 1600
MT8JSF12864HY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT8JSF12864HY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 3896 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MTA9ASF1G72AZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72AZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 3329 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA9ASF1G72AZ-2G6E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MTFDDAV120MAV-1AE12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV120MAV-1AE12ABYY -
RFQ
ECAD 1200 0,00000000 Micron Technology Inc. M500 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 50,80 мм х 29,85 мм х 3,75 мм SATA III 0,35 Унигии (9,97 g) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3A991B1A 8471.70.9000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 120 гр М.2 Модуль 500 мБ/с 130 мБ/с -
MT8HTF12864AY-53ED1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864AY-53ED1 455.5514
RFQ
ECAD 5600 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTEDCAE016SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. MtedCAE016SAJ-1N2IT -
RFQ
ECAD 5052 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MT18LSDT6472Y-133D2 Micron Technology Inc. MT18LSDT6472Y-133D2 -
RFQ
ECAD 6397 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 168-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 SDRAM 512 мБ 133
MT36HTS51272FY-667A3E3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-667A3E3 3.0000
RFQ
ECAD 9433 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MT18VDDT6472AY-40BK1 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AY-40BK1 -
RFQ
ECAD 1678 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MT9JSF12872AZ-1G4J1 Micron Technology Inc. MT9JSF12872AZ-1G4J1 -
RFQ
ECAD 7340 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MT9VDVF6472G-335D4 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472G-335D4 -
RFQ
ECAD 3160 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-RDIMM - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT16VDDF6464HY-40BK1 Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HY-40BK1 86.7247
RFQ
ECAD 9794 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 91.9676
RFQ
ECAD 3382 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Прохл - MTA18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 16 гр
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе