SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT36HVS51272PZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT36HVS51272PZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 3348 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4 гб 800
MT18LSDT12872AG-13EC1 Micron Technology Inc. MT18LSDT12872AG-13EC1 -
RFQ
ECAD 2730 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168 лет СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 1 год 133
MTFDHAK960MCH-1AN15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHAK960MCH-1AN15ABYY -
RFQ
ECAD 3279 0,00000000 Micron Technology Inc. 7100 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм Nvme 3,17 Унигии (90 г) 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 960 gb 2.5 " 2,5 -gb/s 900 мБ/с -
MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY TR Micron Technology Inc. Mtfdhbl128tdp-1at12aiyy tr 76.7100
RFQ
ECAD 8732 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. 20,00 мм х 16,00 мм х 1,20 мм Nvme - - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBL128TDP-1AT12AIYYTR 1000 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 128 gb BGA 1,1 -еб/с 500 мБ/с -
MT18JDF51272AZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18JDF51272AZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 4086 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT9VDVF6472G-40BF1 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472G-40BF1 -
RFQ
ECAD 6282 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MT9VDDT6472AG-335J1 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AG-335J1 -
RFQ
ECAD 5981 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT9JBF25672AKZ-1G4D2 Micron Technology Inc. MT9JBF25672AKZ-1G4D2 -
RFQ
ECAD 3181 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 244-Miniudimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MT16VDDT6464AY-335G6 Micron Technology Inc. MT16VDDT6464AY-335G6 -
RFQ
ECAD 6051 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT16VDDF12864HG-335D2 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HG-335D2 -
RFQ
ECAD 1988 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1109 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 1 год 167
MT4VDDT3264HIY-335J1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HIY-335J1 -
RFQ
ECAD 5391 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm MT4VDDT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 100 DDR SDRAM 256 мБ 333
MTFDJAL1T9MBU-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdjal1t9mbu-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 9296 0,00000000 Micron Technology Inc. S610DC МАССА Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 100,24 мм x 69,85 мм х 15,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 4 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1,9 2.5 " 1,7 -gb/s 850 мБ/с -
MT16VDDT12864AY-335F2 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AY-335F2 -
RFQ
ECAD 9407 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT8HTF3264HDY-40EB3 Micron Technology Inc. MT8HTF3264HDY-40EB3 77.3952
RFQ
ECAD 1646 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 400
MT9HVF6472PKY-40EB1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PKY-40EB1 -
RFQ
ECAD 6926 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT4HTF12864AZ-800C1 Micron Technology Inc. MT4HTF12864AZ-800C1 -
RFQ
ECAD 3263 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний MT4HTF - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT16JTF51264AZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT16JTF51264AZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 9383 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTA18ASF2G72HZ-2G3A1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72HZ-2G3A1 -
RFQ
ECAD 2802 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2400
MT16HTF12864AY-53EB1 Micron Technology Inc. MT16HTF12864AY-53EB1 -
RFQ
ECAD 2033 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTA18ASF1G72PF1Z-2G1T11AA Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PF1Z-2G1T11AA -
RFQ
ECAD 2231 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-NVDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT8HTF12864AY-1GAE1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864AY-1GAE1 -
RFQ
ECAD 3871 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 1066
MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 -
RFQ
ECAD 3494 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 16 гр 2400
MT18HTF25672PY-667A2 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PY-667A2 1.0000
RFQ
ECAD 1060 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT9HVF6472PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2925 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Актифен 240-RDIMM MT9HVF6472 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MTFDDAK480TDS-1AW16HCYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1AW16HCYY TR -
RFQ
ECAD 9376 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - DOSTISH 557-MTFDDAK480TDS-1AW16HCYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb 2.5 " 540 мБ/с 410 мБ/с -
MT9HTF12872AY-667A3 Micron Technology Inc. MT9HTF12872AY-667A3 -
RFQ
ECAD 1385 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MT18VDVF12872Y-40BD4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872Y-40BD4 -
RFQ
ECAD 5870 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MTA16ATF2G64AZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 3191 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 288-й MTA16 - 3A991B2A 8471.70.9000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTEDCAE004SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. Mtedcae004saj-1n3it -
RFQ
ECAD 3877 0,00000000 Micron Technology Inc. E230 Поднос Управо Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 150 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MT9HVF6472Y-53EB1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472Y-53EB1 -
RFQ
ECAD 7887 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 244-MDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе