SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA001A32BA-001 Micron Technology Inc. MTA001A32BA-001 -
RFQ
ECAD 9841 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо - - Управо 0000.00.0000 20 - - -
MT18HTF12872FY-53EB5D3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FY-53EB5D3 -
RFQ
ECAD 1456 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT18HTF12872FDY-667D5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-667D5E3 -
RFQ
ECAD 3734 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MT18VDDT12872AG-335D1 Micron Technology Inc. MT18VDDT12872AG-335D1 -
RFQ
ECAD 6732 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 1 год 167
MTA9ASF1G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 3738 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
MTEDFBR016SCA-1P2IT Micron Technology Inc. Mtedfbr016sca-1p2it 164.2242
RFQ
ECAD 3872 0,00000000 Micron Technology Inc. EU500 Поднос Актифен Модул Mtedfbr016 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 150 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MT18JSF51272AZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272AZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 9874 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTA8ATF1G64AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 7226 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT18HTF25672FDZ-80EM1D6 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDZ-80EM1D6 -
RFQ
ECAD 2966 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-FBDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MT8HTF12864HDY-53EA3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDY-53EA3 -
RFQ
ECAD 4597 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTFDKCC1T9TFR-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC1T9TFR-1BC15ABYY 424,8000
RFQ
ECAD 2605 0,00000000 Micron Technology Inc. 7450 Коробка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 557-MTFDKCC1T9TFR-1BC15ABYY 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 6,8 gb/s 2,7 -gb/s -
MT36HTF25672Y-667D1 Micron Technology Inc. MT36HTF25672Y-667D1 -
RFQ
ECAD 2891 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT36HTF51272PZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT36HTF51272PZ-80EM1 -
RFQ
ECAD 8487 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4 гб 800
MT8VDDT3264AG-262G4 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AG-262G4 62,4155
RFQ
ECAD 7536 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 266
MT5LSDT1672AG-133D1 Micron Technology Inc. MT5LSDT1672AG-133D1 47.1730
RFQ
ECAD 5770 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168 лет СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 128 мБ 133
MT18JDF51272PDZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18JDF51272PDZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 7624 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT4VDDT1664HY-335F3 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664HY-335F3 32.4804
RFQ
ECAD 5788 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 200-sodimm MT4VDDT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1344 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128 мБ 200
MT18HTS25672RHZ-667H1 Micron Technology Inc. MT18HTS25672RHZ-667H1 -
RFQ
ECAD 6006 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-1 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MTFDDAK120MBP-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK120MBP-1AN1ZABYY -
RFQ
ECAD 4865 0,00000000 Micron Technology Inc. M510DC МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 120 гр 2.5 " 420 мБ/с 170 мБ/с -
MTA18ASF1G72HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72HZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8963 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 260-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MT8VDDT3264AY-40BG6 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AY-40BG6 -
RFQ
ECAD 5159 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 400
MTA304ALS32G72MSZ-1S6E1B5 Micron Technology Inc. MTA304ALS32G72MSZ-1S6E1B5 -
RFQ
ECAD 1910 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - MTA304 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 - - -
MT9LSDT1672AG-133G1 Micron Technology Inc. MT9LSDT1672AG-133G1 69 7739
RFQ
ECAD 6135 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168 лет СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 128 мБ 133
MTA144ASQ16G72PSZ-2S6E1 Micron Technology Inc. MTA144ASQ16G72PSZ-2S6E1 -
RFQ
ECAD 5838 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM MTA144 - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 128 gb 2666
MT4KSF12864HZ-1G1D1 Micron Technology Inc. MT4KSF12864HZ-1G1D1 -
RFQ
ECAD 4285 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm Mt4ksf - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR3L SDRAM 1 год 1066
MT9VDDT6472HG-335F2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HG-335F2 -
RFQ
ECAD 8916 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT9LSDT3272AY-133G1 Micron Technology Inc. MT9LSDT3272AY-133G1 93.0319
RFQ
ECAD 5134 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168 лет СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 SDRAM 256 мБ 133
MT8VDDT6464AY-40BF3 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-40BF3 89 8783
RFQ
ECAD 3614 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MTA608ALQ64G72MSZ-1S6E1B5 Micron Technology Inc. MTA608ALQ64G72MSZ-1S6E1B5 -
RFQ
ECAD 3209 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - MTA608 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 - - -
MT18VDVF12872Y-335F1 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872Y-335F1 324.5509
RFQ
ECAD 4170 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе