SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDHAR1T9TCT-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHAR1T9TCT-1AR1ZABYY -
RFQ
ECAD 2795 0,00000000 Micron Technology Inc. 9200 МАССА Управо 0 ° C ~ 55 ° C. 167,65 мм x 68,89 мм х 18,74 ММ Nvme 0,353 Унигии (10 г) 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 Ххl 4,3 -gb/s 1,95 gb/s 2.5A
MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYY Micron Technology Inc. Mtfdkba2t0qfm-1bd1aabyy 306.0000
RFQ
ECAD 5418 0,00000000 Micron Technology Inc. 7450 Коробка Актифен - - Nvme - - - 1 (neograniчennnый) 557-MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYY 1 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 2 М.2 Модуль 4,5 -gb/s 4 гб/с -
MTSD128AHC6MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD128AHC6MS-1WT -
RFQ
ECAD 9579 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -25 ° C ~ 85 ° C. - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 120 Клас 10, Клас 1 Клас 1 MicroSD ™ 128 gb
MTFDHBE960TDF-1AW1BABYY Micron Technology Inc. MTFDHBE960TDF-1AW1BABYY -
RFQ
ECAD 3740 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - - 557-MTFDHBE960TDF-1AW1BABYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb U.2 momodooly 2,4 -gb/s 850 мБ/с -
MT16JTF51264AZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT16JTF51264AZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 8018 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 Micron Technology Inc. MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 -
RFQ
ECAD 3091 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 - - -
MTFDKBG1T9TDZ-1AZ1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdkbg1t9tdz-1az1zabyy -
RFQ
ECAD 7390 0,00000000 Micron Technology Inc. 7400 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - - 1 (neograniчennnый) 557-mtfdkbg1t9tdz-1az1zabyy Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 М.2 Модуль 4,4 -gb/s 2 гб/с -
MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 97.9950
RFQ
ECAD 7774 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 260-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MT9JDF25672PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JDF25672PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 6273 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 2892 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 6360 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT9HTF12872KY-53EA2 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-53EA2 -
RFQ
ECAD 9061 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT18KSF51272PDZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 5418 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
SMC064BFE6E Micron Technology Inc. SMC064BFE6E -
RFQ
ECAD 2768 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8523.51.0000 18 - Compactflash® 64 марта
MTFDGAR1T4MAX-1AG1ZABEA Micron Technology Inc. MTFDGAR1T4MAX-1AG1ZABEA -
RFQ
ECAD 4489 0,00000000 Micron Technology Inc. P420M Поднос Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 68,90 мм x 167,65 мм - 7,2 Юнии (204,12 g) 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3A991B1A 8471.70.9000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1,4 PCIE 2.0 3,3 -gb/s 630 мБ/с -
SMC02GCFC6E Micron Technology Inc. SMC02GCFC6E -
RFQ
ECAD 7653 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -SMC02GCFC6E 3A991B1A 8523.51.0000 198 - Compactflash® 2 гр
MT72KSZS4G72PZ-1G1E1 Micron Technology Inc. MT72KSZS4G72PZ-1G1E1 -
RFQ
ECAD 9481 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 32 gb 1066
MT18JSF1G72PZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PZ-1G9E1 -
RFQ
ECAD 9265 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1866
MT36KDZS1G72PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT36KDZS1G72PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 8554 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1333
MTSD004AGC2RG-1WT Micron Technology Inc. MTSD004AGC2RG-1WT -
RFQ
ECAD 1951 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - 557-MTSD004AGC2RG-1WT Управо 480
MT9KSF51272PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT9KSF51272PZ-1G6P1 -
RFQ
ECAD 3391 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MT18HTF12872FY-53EB5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FY-53EB5E3 -
RFQ
ECAD 6884 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT9HTF12872PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2968 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MTFDKCB7T6TFR-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB7T6TFR-1BC15ABYY 1.0000
RFQ
ECAD 6093 0,00000000 Micron Technology Inc. 7450 Коробка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 557-MTFDKCB7T6TFR-1BC15ABYY 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 6,8 gb/s 5,6 -gb/s -
MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 4572 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTFDKCE1T9TDZ-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCE1T9TDZ-1AZ15ABYY -
RFQ
ECAD 6123 0,00000000 Micron Technology Inc. 7400 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - - 1 (neograniчennnый) 557-mtfdkce1t9tdz-1az15abyy Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 - 6,5 -gb/s 2,2 -gb/s -
MTFDDAT060MBD-1AH12AIYY Micron Technology Inc. MTFDDAT060MBD-1AH12AIYY -
RFQ
ECAD 6313 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 60 Msata 500 мБ/с 130 мБ/с -
MT9LSDT1672Y-133L1 Micron Technology Inc. MT9LSDT1672Y-133L1 -
RFQ
ECAD 8743 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 168-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 128 мБ 133
MT18KDF51272PDZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 4231 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MTFDDAK480TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 1439 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - SATA III MTFDDAK480 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAK480TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb 2.5 " 540 мБ/с 410 мБ/с -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе