RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Карте

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колиство	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	Raзmer / yзmerenee	PakeT / KORPUES	ТИП	Baзowый nomer prodikta	Тела	МАССА	Napraheneee - posta	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Скороп	ТИП ПАМАТИ	Raзmerpmayti	Форм -Фактор	Скороп	СКОРЕСТА - НАПИАНА	ТОК - МАКС	SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA18ASF2G72AZ-2G6D1	-	RFQ	7351	Micron Technology Inc.	-	МАССА	Управо			288-й		MTA18				-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	16 гр					2666
MTA18ASF4G72AZ-2G6B1	-	RFQ	9579	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	МАССА	Управо			288-й		MTA18				СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)		557-MTA18ASF4G72AZ-2G6B1	Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	32 gb					2666
MTA4ATF1G64HZ-3G2E2	-	RFQ	5497	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	Поднос	Управо			260-Sodimm						-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	8 gb					3200
MTA18ADF2G72PZ-2G6H1R	-	RFQ	3394	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			288-RDIMM						СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)			Управо	0000.00.0000	100		DDR4 SDRAM	16 гр					2666
MT18JDF51272PZ-1G9K2	-	RFQ	1139	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			240-RDIMM						-	Rohs3	3 (168 чASOW)			Ear99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	4 гб					1866
Mtfdkbz1t9tdz-1az15abyy	-	RFQ	6038	Micron Technology Inc.	7400	Коробка	Управо	0 ° C ~ 70 ° C.	-		Nvme			-	-	-		1 (neograniчennnый)		557-mtfdkbz1t9tdz-1az15abyy	Управо		1		TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC)	1,92	-	6,5 -gb/s	2,2 -gb/s	-
MTFDDAK1T9TDT-1AW16ABYY TR	-	RFQ	2826	Micron Technology Inc.	5300	Lenta и катахка (tr)	Управо	0 ° C ~ 70 ° C.	100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм		SATA III			-	5 В, 12 В.	СКАХАТА			DOSTISH	557-MTFDDAK1T9TDT-1AW16ABYYTR	Управо		1		TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC)	1,92	2.5 "	540 мБ/с	520 мБ/с	-
MTA9ASF51272PZ-2G3A2	-	RFQ	4306	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			288-RDIMM						-	Rohs3	3 (168 чASOW)			Ear99	8542.32.0036	100		DDR4 SDRAM	4 гб					2400
MTSD064AMC8MS-1WT	22.1800	RFQ	87	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Актифен	-25 ° C ~ 85 ° C.					-			СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	557-MTSD064AMC8MS-1WT	3A991B1A	8523.51.0000	120	Клас 10, Клас Эхс 3	MicroSD ™	64 -й
Mtedcbr008saj-1n2it	-	RFQ	4025	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			Модул						СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		3A991B1A	8542.32.0071	150		Flash - nand (SLC)	8 gb					-
MT8KTF12864HZ-1G1G1	31.3681	RFQ	9972	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Пркрэно			204-Sodimm						СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0032	1000		DDR3L SDRAM	1 год					1066
MTA9ADF1G72AZ-3G2E1	117.9700	RFQ	9741	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Прохл			288-й						-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	1		DDR4 SDRAM	8 gb					3200
MT9MBF51272AKZ-1G4E1	-	RFQ	1449	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			-						-	Rohs3	3 (168 чASOW)			Ear99	8473.30.1140	100		DDR3 SDRAM	4 гб					1333
MT18JSF25672AZ-1G6G1	-	RFQ	3667	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			240-й днаний						СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	2 гр					1600
MT9VDDT6472HY-40BJ1	-	RFQ	8566	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			200-sodimm						СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0028	100		DDR SDRAM	512 мБ					400
MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1	115 6500	RFQ	4453	Micron Technology Inc.	-	МАССА	Прохл			-		MTA18				СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	16 гр
MTA16ATF2G64HZ-2G6E1	76.7250	RFQ	8022	Micron Technology Inc.	-	МАССА	Прохл			260-Sodimm		MTA16				-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	16 гр					2666
MT18HTF12872Y-40ED6	-	RFQ	5234	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			240-RDIMM						СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	1 год					400
MTFDHBA1T0TDV-1AZ12ABYY	-	RFQ	5118	Micron Technology Inc.	-	МАССА	Управо	-	-		Nvme			-	-	-				557-MTFDHBA1T0TDV-1AZ12ABYY	Управо		5		TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC)	1	М.2 Модуль	3,3 -gb/s	2,7 -gb/s	-
MT4HTF6464AZ-800M1	-	RFQ	6121	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			240-й днаний		MT4HTF				СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0002	100		DDR2 SDRAM	512 мБ					800
MT9JSF51272PZ-1G9E2	-	RFQ	6587	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			240-RDIMM						-	Rohs3	3 (168 чASOW)			Ear99	8473.30.1140	100		DDR3 SDRAM	4 гб					1866
MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1	3.0000	RFQ	3103	Micron Technology Inc.	-	МАССА	Актифен					MTA144				-		1 (neograniчennnый)	DOSTISH	557-MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1	Ear99	8473.30.1140	100
MTFDDAV512TDL-1AW1ZABGA	120.2614	RFQ	6278	Micron Technology Inc.	1300	МАССА	Актифен	-	-		SATA III	MTFDDAV512			-	-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		3A991B1A	8471.70.6000	180		TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC)	512 gb	М.2 Модуль	530 мБ/с	520 мБ/с	-
MT8VDDT6464AY-40BDB	-	RFQ	5876	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			184-Udimm						-	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512 мБ					400
MTA16ATF4G64AZ-2G6B1	-	RFQ	5092	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	Поднос	Управо			288-й						-	Rohs3	3 (168 чASOW)		557-MTA16ATF4G64AZ-2G6B1	Управо		100		DDR4 SDRAM	32 gb					2666
MT8JTF25664HZ-1G6M1	-	RFQ	1353	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			204-Sodimm						-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0032	100		DDR3 SDRAM	2 гр					1600
MT8VDDT3264HDY-335M1	-	RFQ	3202	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			200-sodimm						СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)			Ear99	8542.32.0028	100		DDR SDRAM	256 мБ					333
MTA4ATF25664AZ-2G6B1	-	RFQ	8929	Micron Technology Inc.	-	Поднос	Управо			288-й						-	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.32.0036	1		DDR4 SDRAM	2 гр					2666
MTA9ASF1G72HZ-2G6E5	-	RFQ	9492	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	Поднос	Управо			260-Sodimm		MTA9ASF1				-	Rohs3	3 (168 чASOW)		557-MTA9ASF1G72HZ-2G6E5	Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	8 gb					2666
MT8VDDT6464AY-335DB	-	RFQ	2618	Micron Technology Inc.	-	Коробка	Управо			184-Udimm						-	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512 мБ					333