SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTEDCAR002SAJ-1M2 Micron Technology Inc. Mtedcar002saj-1m2 30.2100
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 2 гр -
MTFDDAA480MBB-2AE1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAA480MBB-2AE1ZABYY -
RFQ
ECAD 3794 0,00000000 Micron Technology Inc. M500DC МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 78,50 мм х 54,00 мм х 5,00 мм SATA III - 3,3 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 480 gb 1.8 " 425 мБ/с 375 мБ/с -
OSGC4GB-000-602 Micron Technology Inc. OSGC4GB-000-602 -
RFQ
ECAD 5526 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 - 4 гб - -
MTFDDAT240MBD-AAK12AIYYES Micron Technology Inc. MTFDDAT240MBD-AAK12AIYYES 316.2500
RFQ
ECAD 7431 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III MTFDDAT240 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 240 Msata 500 мБ/с 250 мБ/с -
MT4VDDT1664HG-335F3 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664HG-335F3 -
RFQ
ECAD 6829 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm MT4VDDT СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128 мБ 333
MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 3339 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm MTA16 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MT16HTF25664AY-53EA1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664AY-53EA1 -
RFQ
ECAD 9917 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 533
MT18KSF1G72PZ-1G6E2 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6E2 -
RFQ
ECAD 4290 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT18KSF1G72HZ-1G4E2 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72HZ-1G4E2 -
RFQ
ECAD 7401 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1333
MT36KSF2G72PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6P1 259 7841
RFQ
ECAD 3407 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 240-RDIMM Mt36ksf2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MT16KTF1G64AZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64AZ-1G9E1 -
RFQ
ECAD 7570 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1866
MT16KTF1G64HZ-1G9E2 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64HZ-1G9E2 -
RFQ
ECAD 6962 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1866
MT16JTF1G64HZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT16JTF1G64HZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 2179 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTFDDAV1T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. Mtfddav1t0tdl-1AW1zabfa 255 7500
RFQ
ECAD 1120 0,00000000 Micron Technology Inc. 1300 МАССА Актифен - - SATA III Mtfddav1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 530 мБ/с 520 мБ/с -
MTEDCAR008SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. Mtedcar008saj-1n2it -
RFQ
ECAD 5268 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTFDCAE008SAF-1B1 Micron Technology Inc. MTFDCAE008SAF-1B1 141.8187
RFQ
ECAD 8977 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTFDCAE004SAF-1B1 Micron Technology Inc. MTFDCAE004SAF-1B1 75 7527
RFQ
ECAD 6451 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MT4LSDT864AY-13EL1 Micron Technology Inc. MT4LSDT864AY-13EL1 -
RFQ
ECAD 4797 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 168 лет Mt4lsdt - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 64 марта 133
MTA18ASF2G72PDZ-2G9J1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G9J1 -
RFQ
ECAD 1677 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM MTA18 - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2933
MT4JTF12864AZ-1G6D1 Micron Technology Inc. MT4JTF12864AZ-1G6D1 -
RFQ
ECAD 1317 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний MT4JTF СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR3 SDRAM 1 год 1600
MT4LSDT1664AY-13EG1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AY-13EG1 -
RFQ
ECAD 2313 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 168 лет Mt4lsdt - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 128 мБ 133
MT18VDVF12872DG-335D4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DG-335D4 -
RFQ
ECAD 7308 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT9KBF51272AKZ-1G4E2 Micron Technology Inc. MT9KBF51272AKZ-1G4E2 -
RFQ
ECAD 9982 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Miniudimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 1 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MTFDHBA512TCK-1AS15ABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS15ABDA -
RFQ
ECAD 7922 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDBAA120MAE-1C1 Micron Technology Inc. MTFDBAA120MAE-1C1 522.0269
RFQ
ECAD 6250 0,00000000 Micron Technology Inc. C200 МАССА Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C. 78,50 мм х 54,00 мм х 5,00 мм SATA II - 3,3 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 120 гр 1.8 " 170 мБ/с 70 мБ/с -
MTFDHBA512TCK-1AS1AABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABFA -
RFQ
ECAD 6901 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA512 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MT8VDDT6464AY-335F4 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-335F4 -
RFQ
ECAD 1629 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT9KDF51272PZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT9KDF51272PZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 1249 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MT9HTF3272KY-40EB2 Micron Technology Inc. MT9HTF3272KY-40EB2 80.7591
RFQ
ECAD 7854 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 400
MT16HTF25664AZ-800H1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664AZ-800H1 -
RFQ
ECAD 1146 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе