SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT18HTF12872FY-53EB5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FY-53EB5E3 -
RFQ
ECAD 6884 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT9KSF51272PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT9KSF51272PZ-1G6P1 -
RFQ
ECAD 3391 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MT18KSF51272PDZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 5418 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 6360 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK1T9TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT9HTF12872KY-53EA2 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-53EA2 -
RFQ
ECAD 9061 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 2892 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MTEDCBR008SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. Mtedcbr008saj-1n2it -
RFQ
ECAD 4025 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTA9ASF51272PZ-2G3A2 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272PZ-2G3A2 -
RFQ
ECAD 4306 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4 гб 2400
MT9JDF25672PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JDF25672PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 6273 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MTSD064AMC8MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD064AMC8MS-1WT 22.1800
RFQ
ECAD 87 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTSD064AMC8MS-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 120 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSD ™ 64 -й
MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 4572 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MT8VDDT3264HDY-335M1 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264HDY-335M1 -
RFQ
ECAD 3202 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 256 мБ 333
MT8JTF25664HZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT8JTF25664HZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 1353 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MTA16ATF4G64AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 5092 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64AZ-2G6B1 Управо 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 Micron Technology Inc. MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 3.0000
RFQ
ECAD 3103 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MTA144 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 Ear99 8473.30.1140 100
MT8VDDT6464AY-335DB Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-335DB -
RFQ
ECAD 2618 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MTA9ASF1G72HZ-2G6E5 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72HZ-2G6E5 -
RFQ
ECAD 9492 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 260-Sodimm MTA9ASF1 - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA9ASF1G72HZ-2G6E5 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MTFDDAV512TDL-1AW1ZABGA Micron Technology Inc. MTFDDAV512TDL-1AW1ZABGA 120.2614
RFQ
ECAD 6278 0,00000000 Micron Technology Inc. 1300 МАССА Актифен - - SATA III MTFDDAV512 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 530 мБ/с 520 мБ/с -
MT18KSF1G72PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6P1 -
RFQ
ECAD 2833 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 8664 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK3 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT8VDDT6464AY-40BDB Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-40BDB -
RFQ
ECAD 5876 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA4ATF25664AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8929 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1 DDR4 SDRAM 2 гр 2666
MT9KSF25672PZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT9KSF25672PZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 2452 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1600
MTA9ASF1G72PZ-3G2J3 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-3G2J3 -
RFQ
ECAD 3657 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MT4KTF25664AZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT4KTF25664AZ-1G9P1 -
RFQ
ECAD 3881 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний MT4KTF25664 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1866
MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 6690 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 DDR4 SDRAM 32 gb 2400
MTEDCAE016SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. MtedCAE016SAJ-1N3IT -
RFQ
ECAD 2987 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 150 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MT18HTF25672AZ-667H1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672AZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2168 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT18VDVF12872Y-335F4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872Y-335F4 324.5509
RFQ
ECAD 4510 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT18HTF12872PY-667B1 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PY-667B1 -
RFQ
ECAD 4693 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе