SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDDAV1T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. Mtfddav1t0tdl-1AW1zabfa 255 7500
RFQ
ECAD 1120 0,00000000 Micron Technology Inc. 1300 МАССА Актифен - - SATA III Mtfddav1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 530 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDDAT240MBD-AAK12AIYYES Micron Technology Inc. MTFDDAT240MBD-AAK12AIYYES 316.2500
RFQ
ECAD 7431 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III MTFDDAT240 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 240 Msata 500 мБ/с 250 мБ/с -
MTA9ADF2G72AZ-3G2F1 Micron Technology Inc.
RFQ
ECAD 6888 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Коробка Актифен 288-Eudimm - 557-MTA9ADF2G72AZ-3G2F1 1 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MT16KTF1G64AZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64AZ-1G9E1 -
RFQ
ECAD 7570 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1866
MT16KTF1G64HZ-1G9E2 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64HZ-1G9E2 -
RFQ
ECAD 6962 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1866
MT16JTF1G64HZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT16JTF1G64HZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 2179 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTFDKCB3T8TDZ-1AZ4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB3T8TDZ-1AZ4ZABYY -
RFQ
ECAD 3647 0,00000000 Micron Technology Inc. 7400 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - - 1 (neograniчennnый) 557-MTFDKCB3T8TDZ-1AZ4ZABYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 6,6 -gb/s 3,5 -gb/s -
MT36KSF2G72PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6P1 259 7841
RFQ
ECAD 3407 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 240-RDIMM Mt36ksf2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MTFDCAE004SAF-1B1 Micron Technology Inc. MTFDCAE004SAF-1B1 75 7527
RFQ
ECAD 6451 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MTFDCAE008SAF-1B1 Micron Technology Inc. MTFDCAE008SAF-1B1 141.8187
RFQ
ECAD 8977 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 100 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MT18LSDT3272AY-133L1 Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 3809 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 168 лет СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 100 SDRAM 256 мБ 133
MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 3339 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm MTA16 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MT4LSDT864AY-13EL1 Micron Technology Inc. MT4LSDT864AY-13EL1 -
RFQ
ECAD 4797 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 168 лет Mt4lsdt - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 64 марта 133
OSGC4GB-000-602 Micron Technology Inc. OSGC4GB-000-602 -
RFQ
ECAD 5526 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 - 4 гб - -
MTEDCBR004SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 1575 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MT9KDF51272PZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT9KDF51272PZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 1249 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MT18JSF51272AZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272AZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 9660 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTA36ASF4G72PZ-2G6D1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6D1 -
RFQ
ECAD 5600 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM MTA36 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MT18KSF1G72PZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6N1 -
RFQ
ECAD 6916 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT9KDF25672PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9KDF25672PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 8830 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1333
MT18HTF25672FDY-80EE1D4 Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 5726 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MTA72ASS8G72PSZ-2S6G1 Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 8592 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 64 -й 2666
MT18KSF1G72PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 6086 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1333
MTFDCAE008SAJ-1N1 Micron Technology Inc. -
RFQ
ECAD 7795 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTA36ADS2G72PZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA36ADS2G72PZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 7306 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2133
MTA18ASF2G72AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 7357 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2133
MT18HVF25672PDZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT18HVF25672PDZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 4963 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MTFDDAT120MBD-1AK12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAT120MBD-1AK12ITYY -
RFQ
ECAD 3027 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 120 гр Msata 500 мБ/с 130 мБ/с -
MT18HTF25672PKZ-667H1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PKZ-667H1 -
RFQ
ECAD 4968 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT4LSDT464HY-133G4 Micron Technology Inc. MT4LSDT464HY-133G4 -
RFQ
ECAD 5395 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm Mt4lsdt СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 32 мБ 133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе