SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDDAV1T0TBN-1AR12TAYY Micron Technology Inc. Mtfddav1t0tbn-1ar12tayy -
RFQ
ECAD 4385 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм x 22,00 мм х 2,30 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 530 мБ/с 500 мБ/с -
MTA18ADF2G72PZ-2G6D1 Micron Technology Inc. MTA18ADF2G72PZ-2G6D1 -
RFQ
ECAD 7384 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8471.70.9000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MT18JDF51272PDZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18JDF51272PDZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 2929 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 240-RDIMM MT18JDF51272 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT4LSDT464HG-13EG4 Micron Technology Inc. MT4LSDT464HG-13EG4 22.4283
RFQ
ECAD 6530 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 144-Sodimm Mt4lsdt - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 32 мБ 133
MT8JTF25664AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT8JTF25664AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 6679 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MT18KSF51272PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 2996 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MT9HVF6472KY-40EB2 Micron Technology Inc. MT9HVF6472KY-40EB2 -
RFQ
ECAD 4801 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT16JTF25664HZ-1G1G1 Micron Technology Inc. MT16JTF25664HZ-1G1G1 -
RFQ
ECAD 9750 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1000 DDR3 SDRAM 2 гр 1066
MT4HTF3264HY-667A3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-667A3 117.7690
RFQ
ECAD 9129 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MT9HTF12872KY-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-53EA1 470.7572
RFQ
ECAD 1098 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT4JTF25664AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT4JTF25664AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 8825 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний MT4JTF - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MT18KSF51272HZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272HZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 5892 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MT36VDDF25672Y-335F3 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672Y-335F3 -
RFQ
ECAD 8785 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1343 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 2 гр 166
MT9VDDT6472Y-265D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472Y-265D2 -
RFQ
ECAD 4638 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 266
MT36HTS51272FY-53EA2E3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-53EA2E3 2.0000
RFQ
ECAD 3092 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 533
MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 Micron Technology Inc. MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 -
RFQ
ECAD 8552 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-lrdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 100 DDR3L SDRAM 32 gb 1333
MT9HTF6472KY-40EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-40EB1 -
RFQ
ECAD 3166 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MTFDDAK1T9TGA-1BC16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9TGA-1BC16TAYY -
RFQ
ECAD 2947 0,00000000 Micron Technology Inc. 5400 Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAK1T9TGA-1BC16TAYY 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT8HTF6464HDY-53ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-53ED3 -
RFQ
ECAD 6259 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
SMC064CFA6E Micron Technology Inc. SMC064CFA6E -
RFQ
ECAD 1013 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -SMC064CFA6E 3A991B1A 8523.51.0000 198 - Compactflash® 64 марта
MTFDGAR350SAH-1N1AB Micron Technology Inc. MTFDGAR350SAH-1N1AB -
RFQ
ECAD 8249 0,00000000 Micron Technology Inc. P320H Коробка Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 167,65 мм x 68,90 мм x 18,71 мм - - 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 5 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (slc) 350 -gb PCIE 2.0 3,2 -gb/s 1,9 -gb/s -
MT18KSF51272PZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 3259 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MTFDHBA256TCK-1AS1AABMA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABMA -
RFQ
ECAD 7220 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MT8HTF12864HY-53EA3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HY-53EA3 178.0955
RFQ
ECAD 8909 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTSD032AQC6RG-1WT Micron Technology Inc. MTSD032AQC6RG-1WT 20.7900
RFQ
ECAD 7030 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен - Rohs3 557-MTSD032AQC6RG-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 1
MTFDDAK512TBN-1AR1ZABLA Micron Technology Inc. MTFDDAK512TBN-1AR1ZABLA -
RFQ
ECAD 3439 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 1,98 Унигии (56 Г) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb 2.5 " 530 мБ/с 500 мБ/с -
MT8VDDT3264HY-40BK1 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264HY-40BK1 -
RFQ
ECAD 1513 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 200-sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 400
MTA18ASF1G72XF1Z-2G1T11AA Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72XF1Z-2G1T11AA -
RFQ
ECAD 9923 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-NVRDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT18KDF51272PDZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 5486 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
AXSD1T0ANC8MS-1WT Micron Technology Inc. AXSD1T0ANC8MS-1WT -
RFQ
ECAD 8911 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - DOSTISH 557-AXSD1T0ANC8MS-1WT 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе