SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTFDDAT512MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAT512MBF-1AN12ABYY -
RFQ
ECAD 9866 0,00000000 Micron Technology Inc. M600 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 512 gb Msata 560 мБ/с 510 мБ/с -
MT4HTF3264AY-53EB2 Micron Technology Inc. MT4HTF3264AY-53EB2 -
RFQ
ECAD 8769 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 533
MTA18ADF2G72PZ-2G6H1R Micron Technology Inc. MTA18ADF2G72PZ-2G6H1R -
RFQ
ECAD 3394 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 6690 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 DDR4 SDRAM 32 gb 2400
MT16VDDF6464HG-335G2 Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HG-335G2 -
RFQ
ECAD 2755 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT16KTF1G64AZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64AZ-1G6N1 -
RFQ
ECAD 8117 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен 240-й днаний MT16KTF1 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTFDDAK480MBB-1AE16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480MBB-1AE16ABYY -
RFQ
ECAD 9036 0,00000000 Micron Technology Inc. M500DC МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,20 мм x 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 480 gb 2.5 " 425 мБ/с 375 мБ/с -
MTA18ASF4G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 9579 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA18 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 557-MTA18ASF4G72AZ-2G6B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTFDDAV1T0TBN-1AR1ZTAYY Micron Technology Inc. Mtfddav1t0tbn-1ar1ztayy -
RFQ
ECAD 6753 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм x 22,00 мм х 2,30 мм SATA III Mtfddav1 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 530 мБ/с 500 мБ/с -
MT9VDDF6472G-40BD3 Micron Technology Inc. MT9VDDF6472G-40BD3 -
RFQ
ECAD 6981 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1132 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512 мБ 200
MT18KSF51272PZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 3259 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MTFDDAK240TCC-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TCC-1AR1ZABYY -
RFQ
ECAD 5177 0,00000000 Micron Technology Inc. 5100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 2.5 " 540 мБ/с 250 мБ/с -
MT8LSDT1664AY-133G3 Micron Technology Inc. MT8LSDT1664AY-133G3 -
RFQ
ECAD 4223 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 168 лет - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 100 SDRAM 128 мБ 133
MT36VDDF25672G-335F2 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672G-335F2 660.9036
RFQ
ECAD 2504 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 2 гр 333
MTSD064AMC8MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD064AMC8MS-1WT 22.1800
RFQ
ECAD 87 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTSD064AMC8MS-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 120 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSD ™ 64 -й
MT18HVF25672PZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT18HVF25672PZ-80EM1 -
RFQ
ECAD 7123 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MT16JTF25664AZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT16JTF25664AZ-1G6G1 -
RFQ
ECAD 9344 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MT9HVF12872KY-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HVF12872KY-53EA1 -
RFQ
ECAD 4447 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTA18ADF1G72PZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA18ADF1G72PZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 8947 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT18JSF25672PZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT18JSF25672PZ-1G6G1 -
RFQ
ECAD 1068 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1600
MT18KDF51272PDZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 5486 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MTFDHBA480TDF-1AW42ABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA480TDF-1AW42ABYY -
RFQ
ECAD 2121 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBA480TDF-1AW42ABYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb М.2 Модуль 1,3 -gb/s 425 мБ/с -
MTA36ASF4G72PZ-2G3B1C Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G3B1C -
RFQ
ECAD 9818 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 32 gb 2400
MT36HTF25672Y-53ED1 Micron Technology Inc. MT36HTF25672Y-53ED1 -
RFQ
ECAD 2981 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 533
MT16VDDT12864AG-335F2 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AG-335F2 -
RFQ
ECAD 9851 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT18KSF51272PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 2996 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTA9ASF51272AZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 8286 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4 гб 2133
MT18HTF12872PY-53ED2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PY-53ED2 -
RFQ
ECAD 5844 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT9HTF12872PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2968 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
MT9JDF25672PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JDF25672PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 6273 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе