SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA18ASF1G72PDZ-3G2F2 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PDZ-3G2F2 -
RFQ
ECAD 4772 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 RDIMM МАССА Прохл 288-RDIMM - DOSTISH 557-MTA18ASF1G72PDZ-3G2F2 1 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 -
RFQ
ECAD 5743 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA18 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 4292 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAV480 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb М.2 Модуль 540 мБ/с 410 мБ/с -
MTFDHBE1T9TDF-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdhbe1t9tdf-1AW1Zabyy -
RFQ
ECAD 9733 0,00000000 Micron Technology Inc. 7300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme Mtfdhbe1 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBE1T9TDF-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 2.5 " 3 гб/с 1,5 -gb/s -
MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY -
RFQ
ECAD 3234 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III Mtfddav1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 М.2 Модуль 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 5296 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK7 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDDAK7T6TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 2543 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA400 - 3,3 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBA400TDG-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 400 -дюймовый М.2 Модуль 1,3 -gb/s 400 мБ/с -
MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 210.3000
RFQ
ECAD 6951 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Прохл 288-RDIMM MTA18 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 3200
MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 6298 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 260-Sodimm MTA16 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY -
RFQ
ECAD 3413 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme MTFDHBE800 - 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-MTFDHBE800TDG-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 800 -е 2.5 " 2,4 -gb/s 700 мБ/с -
MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 6208 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - SATA III MTFDDAK960 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MTA72ASS16G72LSZ-2S9B1 Micron Technology Inc. MTA72ASS16G72LSZ-2S9B1 2.0000
RFQ
ECAD 7877 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MTA72 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTA72ASS16G72LSZ-2S9B1 Ear99 8473.30.1140 100
MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 7725 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA18 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 5992 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - SATA III MTFDDAK240 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 2.5 " 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTFDHBE3T2TDG-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdhbe3t2tdg-1Aw4zabyy -
RFQ
ECAD 2377 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme Mtfdhbe3 - 12 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDHBE3T2TDG-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,2 2.5 " 3 гб/с 1,8 -gb/s -
MTFDDAK480TCC-1AR16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TCC-1AR16ABYY -
RFQ
ECAD 1399 0,00000000 Micron Technology Inc. 5100 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5A002A1 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb 2.5 " 540 мБ/с 380 мБ/с -
MTFDDAV480TBY-1AR16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV480TBY-1AR16ABYY -
RFQ
ECAD 8500 0,00000000 Micron Technology Inc. 5100 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,80 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5A002A1 8471.70.6000 100 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 480 gb М.2 Модуль 540 мБ/с 380 мБ/с -
MTFDHAK400MCG-1AN15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHAK400MCG-1AN15ABYY -
RFQ
ECAD 3662 0,00000000 Micron Technology Inc. 7100 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм Nvme 3,17 Унигии (90 г) 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 4 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 400 -дюймовый 2.5 " 2,4 -gb/s 500 мБ/с -
MTFDHAK800MCG-1AN15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHAK800MCG-1AN15ABYY -
RFQ
ECAD 7503 0,00000000 Micron Technology Inc. 7100 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм Nvme 3,17 Унигии (90 г) 12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 800 -е 2.5 " 2,5 -gb/s 900 мБ/с -
MTFDDAK240TDS-1AW15TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW15TAYY -
RFQ
ECAD 5615 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK240TDS-1AW15TAYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 2.5 " 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTFDDAK256MBF-1AN1ZABLA Micron Technology Inc. MTFDDAK256MBF-1AN1ZABLA -
RFQ
ECAD 6409 0,00000000 Micron Technology Inc. M600 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,29 Унигии (65,25 g) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 256 gb 2.5 " 560 мБ/с 510 мБ/с -
MTFDJAL1T9MBT-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. Mtfdjal1t9mbt-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 7385 0,00000000 Micron Technology Inc. S630DC МАССА Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 100,24 мм x 69,85 мм х 15,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 4 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1,92 2.5 " 1,85 gb/s 850 мБ/с -
MTFDDAK1T0MBF-1AN15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T0MBF-1AN15ABYY 442.4830
RFQ
ECAD 2866 0,00000000 Micron Technology Inc. M600 МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III MTFDDAK1 2,29 Унигии (65,25 g) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 1 2.5 " 560 мБ/с 510 мБ/с -
SMC04GCFC6E Micron Technology Inc. SMC04GCFC6E -
RFQ
ECAD 4122 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -SMC04GCFC6E 3A991B1A 8523.51.0000 198 - Compactflash® 4 гб
MT36KSZF2G72LDZ-1G6P1A7 Micron Technology Inc. MT36KSZF2G72LDZ-1G6P1A7 -
RFQ
ECAD 8136 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-lrdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MT18HVF51272PZ-667C1 Micron Technology Inc. MT18HVF51272PZ-667C1 206.4921
RFQ
ECAD 1259 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MTEDCBR002SAJ-1M2IT Micron Technology Inc. Mtedcbr002saj-1m2it -
RFQ
ECAD 1370 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 2 гр -
MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 8658 0,00000000 Micron Technology Inc. 7400 Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - Nvme - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 6,6 -gb/s 5,4 -gb/s -
MTFDDAV400TDT-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. Mtfddav400tdt-1AW16abyy tr -
RFQ
ECAD 4524 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо - DOSTISH 557-MTFDDAV400TDT-1AW16ABYYTR Управо 1
MTFDHBA1T0TCK-1AT15ABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA1T0TCK-1AT15ABFA -
RFQ
ECAD 7247 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе