SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT8VDDT6432UY-5K1 Micron Technology Inc. MT8VDDT6432UY-5K1 -
RFQ
ECAD 8307 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 100-Udimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256 мБ 400
MT36HTF1G72PZ-667C1 Micron Technology Inc. MT36HTF1G72PZ-667C1 -
RFQ
ECAD 6337 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 8 gb 667
MT72JSZS4G72LZ-1G9E2A7 Micron Technology Inc. MT72JSZS4G72LZ-1G9E2A7 -
RFQ
ECAD 9439 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-lrdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 32 gb 1866
MTA9ASF51272AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 9024 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4 гб 2133
MT18HTF25672FDY-53EA5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDY-53EA5E3 -
RFQ
ECAD 7348 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 533
MT4HTF3264HY-667A3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-667A3 117.7690
RFQ
ECAD 9129 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 200-sodimm MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MT9HTF12872KY-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-53EA1 470.7572
RFQ
ECAD 1098 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT9HTF6472KY-40EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-40EB1 -
RFQ
ECAD 3166 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT36HTS51272FY-53EA2E3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-53EA2E3 2.0000
RFQ
ECAD 3092 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 533
MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 Micron Technology Inc. MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 -
RFQ
ECAD 8552 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-lrdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 100 DDR3L SDRAM 32 gb 1333
MT4KTF25664AZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT4KTF25664AZ-1G9P1 -
RFQ
ECAD 3881 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-й днаний MT4KTF25664 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1866
MT16JTF25664HZ-1G1G1 Micron Technology Inc. MT16JTF25664HZ-1G1G1 -
RFQ
ECAD 9750 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1000 DDR3 SDRAM 2 гр 1066
MTFDHBA256TCK-1AS1AABMA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABMA -
RFQ
ECAD 7220 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDDAK3T8TDT-1AW16TAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK3T8TDT-1AW16TAYY TR -
RFQ
ECAD 2593 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - DOSTISH 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW16TAYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 3,84 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT16VDDF6464HY-335G2 Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HY-335G2 -
RFQ
ECAD 4382 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT18KSF1G72PDZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PDZ-1G6N1 -
RFQ
ECAD 5639 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT8VDDF6464AY-40BJ1 Micron Technology Inc. MT8VDDF6464AY-40BJ1 -
RFQ
ECAD 3808 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-Udimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MT9HVF12872PZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT9HVF12872PZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 7655 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MT18KSF51272HZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272HZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 5892 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MT18JDF51272PDZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18JDF51272PDZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 2929 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 240-RDIMM MT18JDF51272 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT9VDDT6472Y-265D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472Y-265D2 -
RFQ
ECAD 4638 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 266
MT4LSDT464HG-13EG4 Micron Technology Inc. MT4LSDT464HG-13EG4 22.4283
RFQ
ECAD 6530 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 144-Sodimm Mt4lsdt - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 32 мБ 133
MTFDDAV1T0TBN-1AR12TAYY Micron Technology Inc. Mtfddav1t0tbn-1ar12tayy -
RFQ
ECAD 4385 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм x 22,00 мм х 2,30 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 100 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 530 мБ/с 500 мБ/с -
MT18KDF51272PZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 6830 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MTFDDAT512MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAT512MBF-1AN12ABYY -
RFQ
ECAD 9866 0,00000000 Micron Technology Inc. M600 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 50,80 мм x 29,85 мм х 4,75 мм SATA III 0,353 Унигии (10 г) 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 100 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 512 gb Msata 560 мБ/с 510 мБ/с -
MTEDCAE016SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MtedCAE016SAJ-1N2 -
RFQ
ECAD 6330 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MT8KTF51264HZ-1G6E2 Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G6E2 -
RFQ
ECAD 3192 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
MT16VDDT6464AG-26AG4 Micron Technology Inc. MT16VDDT6464AG-26AG4 -
RFQ
ECAD 7183 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 266
MT9VDVF6472Y-40BJ1 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472Y-40BJ1 -
RFQ
ECAD 3627 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MT8VDDT6464HY-335F3 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HY-335F3 -
RFQ
ECAD 1193 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе